摩尔定律停滞不前，中国有足够的时间赶上台积电和三星！
众所周知，在芯片制造方面，中国大陆无法与世界顶尖的芯片技术相提并论。 以台积电和三星为例，他们已经进入3nm工艺，并将在2025年进入2nm工艺。
我们该怎么办？ 目前的 14 nm，即 ***，大约有 10 年的历史。
华为推出的麒麟9000 S预示着我们可能会面临7纳米工艺，但两者之间并没有必然的关系，即使是同样的7纳米工艺，其实它也有整整两代人的历史，对计算机稍有了解的人都能看出它们之间的差异。
这就是为什么美国采取了各种措施来遏制或拖延我们发展高端集成电路的原因，使我们在半导体产业上永远被美国甩在后面，让美国从中获益。
例如，极紫外光刻不能卖到中国大陆，目前尖端的深紫外浸没式光刻设备不能卖到中国大陆。
尽管前景黯淡，但随着芯片技术接近其生理极限，我们仍然有足够的时间超越台积电、三星和其他公司。
晶圆工艺是指14nm、7nm、3nm等吗？ 实际上，这是门的宽度。 它也被替换为"线宽"，用于表示蚀刻最少的芯片线的宽度。
但是，自28纳米以来，半导体行业的线宽一直没有增加，因为一条线的宽度必须超过10（甚至100），这使得无法继续减小线宽。
从28nm开始，硅片工艺的进展主要由结构和工艺驱动，这使得能效和效率与更高工艺的硅片相同。
比如在28纳米制程中，我用的是28纳米制程，线宽不会变，但是我把制程增加到了15%，所以在我们这个时代，应该叫28纳米或者22纳米吧？ 22 nm 也是如此，因为 22 nm 是在 14 nm 和 10 nm 之上开发的。
同样，7 nm、5 nm 和 3 nm 也不是简单地指 7 nm、5 nm 和 3 nm，而是在架构、工艺等方面进行了优化，使其理论上可以达到 5 nm 和 3 nm 的能效和性能。
当今IC生产技术的发展方向不再是减小线宽，而是开发更先进的结构，如FinFET、Gaafet等，利用3D结构实现晶体管的3D堆叠，从根本上符合摩尔定律"等效过程"！"
此外，由于线宽实际上并没有减小，因此许多半导体器件，如光刻设备和蚀刻设备，通常用于这种类型的晶圆制造。 虽然目前被称为“芯片工艺”的技术仍处于发展阶段，但确实处于停滞状态，距离我们赶超还有很长的路要走。
虽然目前还没有成熟的极紫外光刻和深紫外浸没工艺，但我们仍然可以在架构、工艺、器件结构等方面进行改进，并在此基础上进行改进，并在此基础上进一步改进。