台积电做出重要决定，刘德寅表达了态度

台积电做出重要决定，刘德寅表达了态度

台积电官宣，其美国工厂的投产再次推迟。

芯片制造规则改变后，刘德仁宣布将在美国建厂，投资400多亿元，不仅要建5纳米芯片工厂，还要建3纳米芯片工厂，5纳米工厂建成后直接生产4纳米芯片。

刘德银还表示，用非美国技术建芯片生产线是不可能的，在美国建厂符合台积电的利益。

然而，三年过去了，美国的生产一直在努力启动和运行，刘大辉去年宣布将推迟在美国大规模生产4nm芯片。

台积电现已宣布决定将原定于2026年在美国生产的3nm芯片推迟到2027年或2028年。

事实上，外界对台积电在美国建厂的态度并非一致乐观。

张忠谋曾公开表示，台积电在美国建厂20年，一直没有扩产。

台积电董事长表示，由于建厂成本高、缺水缺电、熟练劳动力短缺，台积电依托台湾成熟的产业链、低成本的芯片生产、高国际标准和利润，在美国建厂将失去这些优势。 他说。

台积电一再推迟在美国建厂，当然是因为美国需要的数据太多，否则不会给补贴; 台积电投资建厂时，美国承诺给予150亿元补贴，但为时已晚。

因此，刘德英认为，国外的决策是基于客户的需求和当地所需的补贴和支持水平。

据知情人士透露，台积电美国工厂的建设可能会无限期推迟。

这是刘德英单方面做出的决定，刘德英已经宣布辞职。 他希望魏泽佳接替他，并无限期推迟了美国工厂的建设。

与刘德仁相比，魏泽佳专注于台湾省和国内市场。

魏泽佳公开表示，新能源汽车将使芯片工艺成熟，带来巨大的机遇，这比智能手机更大，日本是全球最大的新能源汽车产销市场。

魏泽佳不仅带队参加了上海论坛，还拜访了国内重要客户。

魏子嘉透露，台积电计划留在台湾，建设多个2nm芯片工厂，并开设一个新的全球研发中心。

当然，台积电突然改变卦象的原因是华为等国内厂商的快速发展、补贴和高成本。

据彭博社报道，麒麟9000s芯片是日本制造的，采用7nm或接近7nm工艺制造，但性能可与高通的Snapdragon 888芯片相媲美，采用5nm工艺。

阿斯麦表示，华为等公司正在自主开发半导体芯片产业链，颠覆全球产业链; 英伟达的黄建勋表示，华为是人造芯片制造领域最强大的竞争对手之一。

华为还宣布，其芯片自给率已达到70%，并敦促国内厂商推出更多产品，包括国产芯片。

最重要的是，中芯国际已经完成了晶圆生产的扩产，月产量超过1亿颗各类芯片，75%的芯片订单来自国内厂商。

国内行业也有能力开发duvi光刻技术，可以将芯片工艺降低到7nm。

ASML再次交付了所有预付费光刻订单，包括2000i等型号和其他可以将芯片工艺缩小到5nm的DUV光刻机。

中芯国际已经完成了7nm的研发，并启动了5nm的研发; 使用像 2000i 这样的 DUV 光刻机，结果是可以预测的。 否则，张忠武不会突然主张美国对中国发动芯片战。