摩尔定律停滞不前，中国芯片有充足时间赶上台积电和三星！
众所周知，就芯片制造技术本身而言，中国大陆与该领域的全球领先者仍有差距。 例如，台积电和三星已经转向 3nm，并将在 2025 年转向 2nm。
我们会发生什么？ 目前的技术是14纳米，相差四代，即大约10年。
华为麒麟9000s的发布意味着它可能已经达到了7nm的水平，但目前尚不清楚。
这就是为什么美国要通过各种禁令来阻止或拖延先进芯片的发展，让中国的芯片技术永远落后于美国的芯片技术，让美国获得经济和政治利益。
例如，EUV光刻机可能不会在中国销售，甚至两个最先进的DUV光刻系统也可能在中国销售。
虽然形势不容乐观，但我们并不太担心，因为目前的芯片制造技术已经发展到接近物理极限的地步，还有足够的时间超越台积电和三星。
14 nm、7 nm、3 nm。 芯片技术工艺名称的含义是什么？ 它实际上表示浇口宽度。 有些人使用"线宽"相反。 线宽"指芯片的最小蚀刻宽度。
然而，自28nm工艺技术以来，芯片行业的线宽几乎没有改善。 不可能无限地缩小线宽，因为电路至少需要几十个甚至几百个原子宽才能提供足够的功率。
28nm和更先进芯片的改进在于改进架构和工艺技术，以实现这一目标"能效和性能可与更先进的芯片相媲美"。
比如我用28nm工艺生产28nm芯片，在下一代，线宽没有变化，理论上还是28nm，但是这一代由于晶体管密度增加了15%，以我改进的架构和工艺技术为代价，我是28nm，还是你说的22nm？ 当然叫22纳米，原理是一样的，其次是14纳米、10纳米等。
同时，7nm、5nm 和 3nm 实际上并不是指 7nm、5nm 和 3nm 线宽，而是指架构、工艺技术等方面的改进，这使得这些芯片理论上有可能实现 5nm 和 3nm 的能效和性能。
如今，芯片工艺技术不断进步，不再依赖线宽的缩小，而是从FinFET晶体管演化到更先进的架构，如Gaafet晶体管，再到晶体管的三维堆叠，最后发展到摩尔定律'工艺当量寿命"，翻译为"生命"。结果。
这类芯片的生产也需要大量的半导体设备，如光刻和蚀刻设备，因为线宽不是很小。 在这种情况下，所谓的芯片制造虽然还在进步，但实际上已经停滞不前，需要很长时间才能赶上。
即使没有先进的EUV光刻技术或先进的DUV光刻技术，也可以通过改进架构和工艺、改进晶体管结构和改变封装技术来迎头赶上。