摩尔定律停滞不前，中国芯片有充足时间赶上台积电和三星！
众所周知，在芯片技术方面，中国中国大陆与世界先进芯片技术还有很大差距。 例如，台积电和三星已经推出了 3nm 工艺，并将在 2025 年推出 2nm 工艺。
我们该怎么办？ 目前的14纳米，即相差约10年。
华为的麒麟9000意味着我们距离7纳米工艺还有很长的路要走，就算是7纳米，也需要五年多的时间，只要有一点脑子的人都能看到。
这也是美国想要阻止或拖延美国在芯片技术上的进步，以便美国能够从中获益的原因。
例如，极紫外光刻机不需要销往中国大陆，现在，两台最先进的深紫外浸没式光刻机不需要销往中国大陆**。
诚然，情况很严重，但我们不必太担心，因为目前的芯片技术已经达到了物理极限，完全可以赶上台积电和三星。
晶圆工艺中的14nm、7nm、3nm等是什么？ 也就是说，门的宽度。 也有一些人使用它"线宽"（线宽）表示芯片的最小蚀刻宽度。
然而，自28nm工艺以来，晶圆行业的线材厚度并没有实质性的改善，因为电路只能提供几十个甚至数百个原子宽的电力。
从28nm开始，晶圆工艺的进步主要体现在架构和工艺的改进上，从而实现了相同的能效和效率。
比如28nm的工艺，我们用28nm的工艺来做，在下一代的工艺中，线宽保持不变，理论上也是28nm，但是因为架构、工艺等方面的改进，它增加了15%，现在是28纳米，还是22纳米？ 比如 22nm、14nm、10nm 等等。
同样，7 nm、5 nm 和 3 nm 并不意味着 7 nm、5 nm 和 3 nm 线宽，而只是架构、工艺等方面的改进，因此理论上它们具有 5 nm 和 3 nm 的能效和功能。
前段时间，芯片制造工艺的发展并不依赖于降低线重，而是通过更先进的架构，如FinFET晶体管、Gaafet和3D晶体管堆栈"再现"摩尔定律，这些结构最终意味着"等效过程"过程！ 在。
此外，由于线宽并没有真正减小，因此需要光刻和蚀刻设备等半导体设备来制造此类芯片。 在这样的情况下，所谓的晶圆制造工艺虽然还在往前走，但实际上却停滞不前，我们还有充足的时间去追赶。
即使我们没有先进的EUV光刻技术和先进的浸没式深紫外光刻技术，我们也可以通过升级结构和工艺，改进晶体管结构，改进封装工艺来解决这个问题。