摩尔定律停滞不前，中国芯片有足够的时间赶上台积电和三星！
众所周知，在集成电路技术方面，中国大陆与世界顶尖集成电路技术仍有差距。 例如，台积电和三星已经进入3nm，并将在2025年进入2nm。
那我们呢？ 目前的技术是14纳米，相当于4代，相差约10年。
华为麒麟9000s的推出意味着我们可能拥有7nm的水平，但这还不是表面上的，就算是用7nm来计算，真正的差距也是2代，超过5年，谁计算一下，区别就一清二楚。
也正是因为如此，美国才想通过各种禁令来阻止或延缓中国在先进芯片方面的进步，让中国的芯片技术永远落后于美国，让美国获得自己的经济和政治利益。
例如，EUV光刻机不能卖到中国大陆，即使是两台最先进的浸没式DUV光刻机也不能卖到中国大陆。
虽然形势黯淡，但我们并不太担心，因为目前的集成电路技术已经发展到物理极限，我们有足够的时间超越台积电和三星。
在芯片工艺中，14nm、7nm、3nm，所有这些工艺都用什么来代表？ 实际上，它指的是门的宽度。 它也被使用"线宽"要替换它，"线宽"指芯片电路的最小蚀刻宽度。
但是，自28nm工艺以来，集成电路行业的线宽基本没有提高，因为要使电路正常通电，至少需要几十个甚至几百个原子宽，所以线宽不能无限减小。
从28nm开始，芯片制程的进步更多地体现在架构和工艺的改进上，已经实现"与先进芯片相同的能效和性能"。
比如我用28nm工艺做28nm芯片，在下一代，线宽没有变化，理论上还是28nm，但是通过架构和工艺的改进，晶体管密度提升了15%，这一代叫28nm，或者说22nm，当然叫22nm， 还有14nm、10nm等。
同样，7nm、5nm、3nm并不真正意味着7nm、5nm、3nm线宽，而是架构、工艺等方面的改进，使这些芯片理论上具有5nm和3nm的能效和性能。
如今，芯片制造工艺的进步不是基于线宽的减小，而是基于更先进的架构，如FinFET晶体管、Gaafet晶体管等，它们对晶体管进行三维堆叠，最终转化为摩尔定律过程"等效过程"--"生命！ "。o
此外，在晶圆制造过程中，由于线宽并没有真正减小，因此通常使用很多半导体设备，例如光刻设备、蚀刻设备。 在这种情况下，虽然所谓的晶圆工艺仍在前进，但它实际上是停滞不前的，我们将有很长的时间来赶上。
即使我们没有先进的EUV光刻技术或先进的浸没式DUV光刻技术，我们也可以赶上架构和工艺升级、更好的晶体管结构以及封装技术的变化。