如何解释MOSFET钳位的误区？

以 N 沟道平面 MOS 为例，如下图所示。

导通的建立是在源漏的两个 n+ 区域之间创建一个 n 漂移区域。 如图所示，PN结J2被源金属短路，PN结J1的内置电场由右向左水平引导，当向漏极施加正电压时，PN结J1反转，当栅极不施加偏置电压时，没有电流流过漏极源。 当施加在栅极上的正电压超过MOS的栅极开启电压vth时，在栅极级下方形成充满电子的反向层（图中的逆通道），形成MOS导通通道。

当漏极电压很小（VD《（VG-VTH）》）时，整个沟道的厚度基本相同，沟道阻抗基本不变。 当沟道电流上升时，由于沟道电阻，沟道内会形成从右到左的电压差，这会抵消部分栅极偏置电压，使漏极端的沟道变窄，如下图所示。

随着电流的持续上升，漏极电压上升到等于偏置电压（VD=（VG-VTH））。 当沟道靠近漏极时，反相层中没有电压，形成沟道预箝位。 漏极电流饱和，漏极电流的大小由栅极偏置决定，如下图所示。

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