由于翻译问题，它也被称为米勒效应。 在MOSFET的开关电路中，根据教本习中学到的MOSFET原理，在N沟道MOSFET的栅极（G）大于转动电压VTH时增加栅源电压VGS，MOSFET将导通，当VDS
这种现象的发现最早是由美国科学家罗伯特·米勒发现的，因此以他的名字命名。 MOSFET中米勒效应的主要原因是MOSFET的寄生电容。
在MOSFET数据表中，您将看到三个电容器，它们是：
输入电容 CISS = CGD + CGS
输出电容 COSS = CGD + CDS
反向传输电容 CRSS = CGD
从数据表中可以看出，CGS=CISS-CGD 比 CGD 大得多
从上图可以看出，由于MOSFET的结构会带来大量的寄生电容，所以CGD和CDS都标记在那个地方，但CGS没有看到。 CGS电容为：
CP是栅极和p体之间的电容：它受栅极、漏电压和沟道长度的影响。 CP 是 CGS 成分中唯一受泄漏电压 （VDS） 变化影响的部分。 随着VDS的增加，耗尽区向P型体扩展，CP值降低。 这是因为耗尽区不超过p体的10%。 因此，由于 VDS 引起的 CGS 变化很小。
CGD 它受栅极和漏极电压的影响。 当VDS发生变化时，CGD下的区域（n-遇到栅极氧化层的漂移区域）会发生变化，电容值会受到影响。
CDS的厚度随VDS而变化，VDS是P型体和N漂移区的结厚。
对于MOSFET的米勒效应，网上有很多分析，很多工艺，其实是Maxim Semiconductor的一份申请文件，并没有很清楚地解释开通过程中的一些问题，含糊不清，横而过。 在我的下一篇文章中，我将尝试清楚地解释这个过程。
MOSFET的米勒效应是好是坏？在我看来，质量取决于应用场景，比如开关电源的使用，MOSFET开关频繁，米勒效应会影响开关速度，VDS的下降时间越长，损耗越大，发热越严重。 但是，如果MOSFET在启动电路中只导通一次，则上述问题就不那么重要了，可以使用米勒效应来调整电源的上升时间，从而降低浪涌电流。
下一篇文章将详细分析MOSFET导通过程，解决分析一人一句为研究生招呼过程中的一些矛盾。