资深硬件数字爱好者都知道，测量闪存颗粒有一个非常关键和重要的指标，那就是堆叠层数。
闪存粒子是由多个存储单元相互堆叠而形成的多层结构，这种方案可以实现更高的存储容量，同时也减小了单个存储单元的体积，从而减小了整个闪存粒子的体积。
因此，闪存颗粒的制造层数很大程度上决定了成品闪存芯片的存储容量和性能。 一般来说，制造层数越多，每个存储单元的体积越小，存储密度越高，存储容量越大，性能越高，同时读写速度更快。
综上所述，现在全球各大闪存颗粒厂商都在竞相提高自己的闪存颗粒的制造层数，其优势是全方位的，行业竞争非常激烈。
整体发展速度也非常快，最新的主流制造工艺已经从早期的96层、128层、176层发展到最新的232层，现在232层工艺已经成熟，进入了大规模量产和商业化的阶段。
那么，你可能会好奇这样一个问题：既然232层工艺已经成熟量产，那么下一个接近成熟并即将投入使用的工艺节点是什么？ - 答案是280层。
今年2月，一年一度的国际固态电路大会（ISSCC）将举行，在该领域具有重要影响力的闪存制造商将率居高位，包括三星，该公司最近透露了该公司在该领域的最新进展和计划。
简而言之，三星透露，该公司即将推出下一代QLC NAND V9工艺解决方案，其最大的吸引力是颗粒的存储密度为285GB 平方毫米。
作为参考，SK海力士的176层QLC闪存颗粒的存储密度为14西部数据（该公司已收购铠侠）的 162 层 QLC 闪存芯片面积为 40 平方毫米，存储密度为 13美光的 232 层 QLC 闪存颗粒面积为 86 平方毫米，存储密度为 1950 平方毫米。
从以上数据可以看出，三星的QLC闪存颗粒的存储密度比所有竞争对手的产品都要高得多，比美光的竞争对手高出46倍2%，领先近50%，可谓“遥遥领先”，有望成为业界数据密度最高的闪存颗粒。
然而，数据存储密度只是衡量闪存制造工艺的重要指标之一，另一个非常重要的指标是性能，三星的V9 QLC闪存芯片的性能如何？
据悉，其最大速率为32 Gbps，目前该公司性能最高的 QLC 的最高速率为 2与33%的增长相比，4Gbps是一个不小的增长。
这类存储芯片主要针对消费级SSD而非企业级SSD，有传言称三星将利用这款闪存芯片推出容量超过8TB的V9 QLC M2 SSD，整体性能和体验有望大幅提升，非常值得期待。
三星目前尚未透露其280层QLC内存颗粒何时正式量产上市，有猜测很可能是在今年下半年，目前还没有确切的消息。
最后，需要补充的是，V9 QLC只是三星改进闪存芯片设计和制造工艺路线图中的一个节点，三星未来将在此基础上继续改进。
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