（一）项目的必要性
1、行业发展迅速，CVD碳化硅市场前景广阔
近年来，由于全球第三代半导体和集成电路等半导体行业保持强劲增长碳化硅外延片、硅外延片及下游芯片及器件随着出货量不断创下历史新高，外延设备的需求和可用性持续增长，设备零部件市场持续扩大。 作为关键的精密部件，半导体设备的碳化硅零件在反应腔中，其中一些与晶圆直接接触，这对于晶圆制造和芯片制造来说是非常困难的。
半导体材料及零部件产业作为半导体产业链的基石和上游核心环节，具有重要的战略意义。 据QY Research统计，2022年全球CVD碳化硅零部件市场规模将达到8家13 亿美元，预计到 2028 年将达到 14.4 美元32 亿美元，复合年增长率 （CAGR） 为 989%。
作为全球最大的半导体产品消费市场，近年来中国对各种半导体产品的需求大幅增加，需求带动半导体行业逐渐向中国转移。
据QY Research数据统计和**，2022年中国CVD碳化硅零件市场规模达到200亿美元，有望达到426 亿美元，复合年增长率 （CAGR） 为 1344%。我国CVD碳化硅零部件市场前景广阔，探索空间巨大。
2、下游客户对自主可控产业链的需求增加，公司扩产顺应行业发展
为应对国际摩擦加剧和地缘政治矛盾加剧带来的风险，公司下游客户从自主可控的产业链角度出发，积极拓展国内关键零部件一流供应商，带动公司业务发展。 为满足客户采购需求的持续增长和对更高产品性能的追求，公司拟通过本项目的实施，实现产能和产量提升，缩短供货周期，降低生产成本，提升核心技术研发能力，从而实现产品升级迭代和品类拓展。
3、丰富和优化公司产品品类，为公司开发新的利润增长点
除了用于SIC外延设备、MOCVD设备、SI外延设备的碳化硅涂层石墨零件外，公司近年来积极拓展新的产品类别，包括聚焦环和气体喷头等物理碳化硅零件、炉管等烧结碳化硅零件等产品，新产品下游市场广阔。
随着国家对半导体设备零部件的支持和鼓励相关政策的不断出台，以及公司下游客户对产品性能水平和产品类型的要求不断提高，为保持公司在半导体设备碳化硅零部件行业的技术领先地位和市场竞争力， 公司将进一步拓展产品线，优化产品结构，丰富客户群体，开拓新市场，为公司形成新的利润增长点。
（2）项目可行性
1、国家产业政策支持半导体设备及零部件产业高质量高速发展
公司产品属于半导体设备零部件行业，装备制造下游产品以功率器件、LED芯片、集成电路等产品为主，面向新能源汽车、LED、消费电子、光伏等终端市场，属于国家产业政策扶持的重点领域。 为促进半导体产业发展，提升产业创新能力和国际竞争力，近年来我国出台了一系列相关政策。
2020年7月，《关于促进新时代集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》出台，多方面推动集成电路发展，优化集成电路产业和软件产业发展环境，深化产业国际合作; 2021年12月，《数字经济发展“十四五”规划》发布，重点关注下一代移动通信技术、电子信息、第三代半导体等新兴技术。
2022年9月，工业和信息化部等部门联合印发《原材料行业“三品”实施方案》，提出到2025年，我国高温合金、高性能特种合金、半导体材料、高性能纤维、复合材料等产品和服务将显著提升对重点领域的支撑能力， 到2035年，原材料供应能力和水平及服务质量将大大提高，达到世界先进国家水平。
近年来，随着下游行业市场需求的推动，公司主营业务收入快速增长，随着公司资金到位，产能和研发实力不断提升，预计公司产品需求将保持持续增长态势，市场竞争力将不断提高。
2、公司技术优势领先
公司长期致力于半导体设备用CVD碳化硅镀膜技术的创新研发，积极与国内半导体产业链龙头企业开展技术合作。 目前，公司已成为半导体设备用碳化硅零部件领域的国内龙头企业，2022年中国市场排名第三，全球市场排名第八，中国企业排名第一。
公司自主研发了CVD碳化硅沉积炉、产品工艺配方等核心生产设备等核心技术，克服了100多项工艺和技术难题，成功掌握了CVD法制备碳化硅的工艺，实现了规模化量产。 应用工艺主打产品碳化硅涂层石墨基材的关键技术指标达到国内领先、国际主流水平，加速行业国产化进程。 卓越的研发能力和领先的技术储备为公司的项目实施奠定了基础，并将继续带动公司未来的业务增长。
3、公司拥有优质的客户资源基础
公司主要产品已通过100多家半导体企业批量验证，并与国内半导体设备、外延片、晶圆厂等领域的领先厂商建立了稳定的合作关系，拥有领先的市场地位和丰富的客户储备。
公司建立了较为完善的半导体设备用碳化硅零部件全产业链生产体系，可有效保障国内下游客户供应链自主可控。 同时，公司具有本土化优势，贴近市场，更了解国内用户的需求，在日常服务响应速度和服务能力方面比国际同行更具优势。
公司凭借领先的技术水平、卓越的产品性能和优质的服务赢得了客户的信赖，与下游龙头企业建立了长期、稳定、深入的业务合作关系，拥有丰富优质的客户资源。
4、公司拥有与生产研发相关的人才储备
公司高度重视科技创新的发展，不断引进行业优秀人才，形成了一支由行业资深专家领衔的高级管理人员和核心技术人才队伍半导体领域、碳化硅材料、石墨材料领域专家，负责公司成熟产品的工业化生产、新产品研发和成熟产品的持续改进。
报告期内，随着业务规模的大幅提升，公司同时扩大了团队，加强了生产研发人员的招聘和培训。 报告期末，公司生产人员211人，占63人17%，研发人员58人，占17人37%。公司高度重视研发团队的建设和培养，建立了较为完善的人才培养体系。
（3）碳化硅材料研发制造总部项目
一、项目建设概况
项目主体为广州志城，建设地为广州市黄埔区永和街道永新街23号。 建设规模主要包括1个生产车间、1栋研发办公楼、1个电站和1个甲级仓库。 本项目建设完成后，将主要从事半导体设备用碳化硅零件的生产和研发，包括碳化硅涂层石墨零件和固体碳化硅零件等产品。
2、项目投资估算
该项目建设的拟议投资为64,68930万元，其中计划使用31489元30万元，主要用于设备购置安装及相关营运资金。
3. 项目时间周期和进度
该项目建设工期5年，已于2021年开工，主体建筑已完工，第一条生产线已于2023年投产。
四、项目备案程序
2021年4月6日，本项目建设内容已获得广州开发区行政审批局颁发的《广东省企业投资项目备案证书》，国家**2104-440112-04-01-310128，项目涉及的备案手续已完成。
根据实际投资情况，项目整体建设规模已达到一定程度，公司变更了此前备案文件审批，并于2023年2月获得更新后的《广东省企业投资项目备案证书》。
5. 环境保护
2022年7月14日，广州开发区行政审批局出具《致成半导体碳化硅材料研发制造总部项目环境影响报告书》（遂凯批准环评第2022号143号），批准了该项目环境影响报告书，同意项目建设。
项目建成后，在生产研发过程中可能会产生一定量的废气、固体废物、生产废水和噪音，但不属于重污染行业。 在项目实施过程中，公司将采取严格的污染物防治措施，使运行产生的各类污染物和电力设备运行产生的噪声得到有效控制，主要污染物达到排放标准，达到国家环保部门颁布的控制指标总量要求。
6. 土地使用权
本项目用地已由项目主体广州志成以挂牌转让形式取得，土地证号为“粤（2021）广州房地产06072473号”，土地性质为工业用地，用地面积为15275598 平方米
（4）碳化硅材料研发项目
一、项目建设概况
为提升公司自主研发能力，巩固公司在现有产品领域的核心竞争力，提升产品丰富度，公司计划继续开展半导体设备用碳化硅零部件的研发。 本项目主要实施主体为广州志成，主要实施地点为广州市黄埔区永和街道永新街23号。 具体而言，计划在以下方向开展研发工作：
（1）碳化硅涂层石墨件研发及技术改进项目
报告期内，公司主要产品为碳化硅涂层石墨零部件，可用于SIC外延设备、MOCVD设备、SI外延设备等设备。 随着下游客户对公司产品性能、寿命和质量要求的不断提高，为保证公司产品的市场竞争力，满足客户对新设备、新工艺、新产品等具体需求，公司需要不断研究和改进成熟产品，提升客户服务能力。
本项目的具体研发内容包括使用生产CVD碳化硅沉积炉及其集群数据采集系统、架构及工艺配方软件开发、芯材超高纯纯工艺研究开发等
（2）物理碳化硅产品及技术研发项目
固体碳化硅材料由于其优异的耐高温性、导热性和耐等离子体蚀刻性，已成为蚀刻、热处理、薄膜沉积等集成电路制造设备应用的理想材料。 以聚焦环为例，作为蚀刻设备的组成部分，主要目的是提供均匀的等离子体气体，保证刻蚀的一致性和准确性，因为它与晶圆直接接触，腐蚀速度快，需要很强的耐腐蚀性和稳定性。
本项目基于公司多年积累的CVD碳化硅技术，重点研发等离子刻蚀等集成电路制造设备中使用的碳化硅零部件聚焦环、顶盖、伴侣、喷头和其他产品。
本项目的研究内容包括提高物理碳化硅产品性能达到国际先进水平，开发更多的设备制造商和晶圆厂客户，完善国内一流链条，为公司带来新的利润增长点。
（3）烧结碳化硅产品及技术研发项目
碳化硅炉管、水晶舟高纯烧结碳化硅零件是立式热处理设备的反应室零件，目前国产化率较低。
本项目计划开发利用碳化硅原料粉末提纯技术、超声波清洗技术、超薄管壁凝胶成型技术和CVD涂层等相关技术，攻克碳化硅炉管等高纯烧结碳化硅产品成型工艺的技术难点，并加以开发应用用于立式炉设备的高强度、高纯度、高耐久性烧结碳化硅零件
（4）TAC涂层石墨产品及技术研发项目
在碳化硅衬底制备过程中，碳化硅晶体在高温单晶炉中的生长条件恶劣，质量和成本受热场材料的影响很大。 TAC涂层石墨产品作为一种先进的热场材料，在碳化硅晶体生长过程中具有良好的稳定性，是碳化硅行业高温设备必备的热场材料。
本项目主要以CVD涂层技术路线为基础，辅以烧结实验，开发可大规模生产致密均匀TAC涂层石墨零件的工艺路线，为碳化硅外延设备或碳化硅单晶炉设备制备TAC涂层石墨产品，从而提升公司产品的丰富度和竞争力，进入更多下游领域。
2、项目投资估算
该项目建设的拟议投资为28,7470000000000元，全部用于募集资金进行投资，主要用于上述研发项目的设备购置安装费用、人员工资等。
3. 项目时间周期和进度
本项目包括多个研发课题，项目整体实施周期预计在3年内完成，具体项目实施进度以各子项目为主线推进，根据子项目研发需求安排项目研发所需的资金投入。
4. 备案手续的履行、环评审批、土地利用
2022年10月21日，公司获得广州开发区行政审批局颁发的《广东省企业投资项目备案证书》，国家**2210-440112-04-02-704386，并已完成项目固定资产投资备案手续。
2023年3月15日，广州开发区行政审批局出具《致诚半导体碳化硅材料研发制造总部新研发项目环境影响报告表》（隋凯核文环评第2023号75号），批准了项目环境影响报告书，同意项目建设。
该项目计划使用公司现有土地实施，不涉及收购新土地。