三星正在考虑将MUF技术应用于服务器DRAM内存

**：IT之家。

IT Home 3 月 4 日报道称，据 Theelec 报道，三星正在考虑在其下一代 DRAM 中应用模压填充 （MUF） 技术。 三星最近测试了用于 3D 堆叠 （3DS） 内存的 MR MUF 工艺，与 TC NCF 相比，该工艺的吞吐量有所增加，但物理特性有所下降。

经过测试，该公司得出结论，MUF不适合高带宽内存（HBM），但非常适合3DS RDIMM，目前使用硅通孔（TSV）技术制造，主要用于服务器。

MUF是一种TSV工艺，在半导体上打上数千个小孔，然后在半导体之间连接和注入半导体的上下层，其作用是牢固地固定和连接多个垂直堆叠的半导体。

在此之前，三星已经在其现有的注册式双列直插式内存模块（RDIMM）中使用了热压非导电薄膜（TC NCF）技术，而MUF是SK海力士用于制造高带宽内存（HBM）的技术（特别是质量回流模塑底部填充胶，简称MR-MUF）。

据IT之家查询，MUF是一种环氧树脂模塑料，自从SK海力士成功应用于HBM生产以来，在芯片行业引起了越来越多的关注，业界认为该材料被认为在避免晶圆翘曲方面更具优势。

数据显示，SK海力士使用的化合物是与NAMICS合作开发的，而消息人士称，三星计划与三星SDI合作开发自己的MUF化合物，并且已经订购了MUF应用所需的成型设备。

三星是全球最大的存储半导体公司，如果三星也推出MUF，它可能会成为主流技术，半导体材料市场也将发生巨大变化，但三星电子的一位官员回应称，“我们无法确认我们的内部技术战略。

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