前言
MOS晶体管是一种常见的分立器件，可将输入电压的变化转换为输出电流的变化。 根据掺杂的基材不同，可分为：N 沟道和 p 沟道两种类型通过控制栅极的电压来控制源漏之间的电流，从而实现开关功能。
本期，威比VBSEMI介绍近期推出的一款全新N沟道MOSFET产品，型号为：vbl7601可应用于电机驱动电路、充电器等电路。 本产品用途：高深芯片贴装工艺显著提高封装的热性能
这种封装设计非常适合系统尺寸紧凑且需要高功率、高效率转换的应用。 例如，车载DC-DC、车载空压机电控、光伏逆变器、电机驱动、UPS电源、开关电源等。
产品特点：
VBSEMI的VBL7601由N沟道制成，具有优异的性能特点和工作原理。 即当栅极施加正向电压时，形成导电通道，连接源极和漏极，实现导通; 当向栅极施加反向电压时，不会形成导电路径，并实现截止。
该VBL7601具有非常低的导通电阻、非常快的开关响应时间和较大的负载电流。
参考下图中的规格可以看出，漏源电压为30V，栅源电压为20V，漏极电流为200，导通电阻为0002等参数。
封装性能
vbl7601本产品用途：to-263-7l它是一种采用先进塑料封装技术的贴片封装形式，尺寸比传统的插件封装方式更紧凑，在芯片焊接过程中提供了极大的便利。
该封装具有多个与电源并联的引脚，这大大降低了封装的阻抗，从而降低了导通损耗并改善了大电流工作环境中的整体电路性能。
产品应用
VBL7601产品因其优异的电气性能、稳定性、可靠性和低功耗而成为许多客户的理想选择。
该VBL7601在各种电路应用中表现出色，例如驱动、开关、放大、调节、滤波、保护和充电。 它的应用范围很广，包括充电器、适配器、逆变器、电源、电动工具、电子烟、光电耦合器、小家电、储能设备、智能水表、路由器、机顶盒和车载电子产品。
以下是该产品的应用亮点：
1.电信号放大电路：其高输入阻抗和低输出阻抗在确保精确的信号放大和驱动方面发挥着关键作用，尤其是在射频放大、音频放大和功率放大等领域。
2.电机驱动：该VBL7601的低导通内阻和快速开关可实现精确的电机控制。
3.电源管理：能够进行有效的电压调节、电流控制和电源开关操作。 通过控制MOS的导通和切断，实现电源电路的高效能量管理。
4.光耦合：该VBL7601有效地实现了光电信号的放大和隔离功能，如光耦的输出级驱动和信号隔离。
以下几点在MOS选择过程中至关重要：
1.对产品参数和功能有深入的了解：客户必须深入研究 N 沟道 MOS 晶体管的关键参数，例如电流、电压和功率损耗，以确保所选器件满足电路设计的特定需求。
2.考虑应用程序环境和场景：明确MOS管的应用环境，包括温度范围和电磁干扰等，确保MOS管在特定条件下能够稳定运行。
3.实现高效运行：正确选择MOS晶体管可以优化电路设计，从而提高系统效率并降低能耗。