当3nm的竞争才刚刚开始显现时，2nm似乎是一把剑影。
台积电、三星和英特尔这三大全球领先的晶圆代工厂，都在加速开发更先进的2nm工艺，各有各的招数，英特尔的后电源T**; 台积电的GAA、CODOS; 三星的MBCFET等。 但在关键装备领域，毫无疑问，高数值孔径EUV已经成为必须为之奋斗的“堡垒”。
看起来英特尔正在带头。 近日，英特尔大量采购了ASML下一代高数值孔径高数值孔径EUV光刻机，将于2024年出货，采购数量为6台，将在2025年及以后用于使用18A或其他工艺的芯片制造。 业内人士预计，ASML明年剩余的4个产能将在三星晶圆代工和台积电之间瓜分，三星预计拿到3个，台积电明年可能只有1个。
难道台积电“慢了半拍”？ 不过，多位业内人士分析，台积电背后有着深厚的信心和实力，台积电正稳步关注未来，未来2nm的竞争不仅仅是高数值孔径的EUV，地缘政治因素可能更难预测。
2nm寿命系统高NA EUV？
这也引发了一个很大的思考：2nm真的是高数值孔值EUV吗？
一位知名市场研究机构资深分析师告诉极微，从目前来看，DUV可以用在7nm工艺上，5nm可以通过多重**支持，但是在3nm和2nm之后，要想比其他竞争对手更快地推进摩尔定律，就必须使用EUV。 目前，EUV 光刻机可以支持工艺进步到 3nm 左右，但如果 OEM 想要继续推进到 2nm 甚至更小的尺寸，他们将需要具有更高数值孔径的高数值孔径 EUV。
为了进一步提高EUV光刻机的分辨率，满足下一代sub-2nm工艺的要求，全球领先的光刻机制造商ASML推出了0的高数值孔径Na55光刻平台exe。 目前，第一代EUV光刻机NXE平台机型已升级至3600D，即将推出的第二代HIGH NA EUV-EXE平台试产机型为5000台，量产机型为5200台。
据悉，它配备了0配备 55 Na 透镜的高数值孔径 EUV 光刻设备可实现 8 nm 的分辨率，分辨率为 0与 33 Na 透镜的标准 EUV 13nm 分辨率相比，这是一个显着的改进。 高数值孔径EUV有望成为亚2nm工艺的关键工具，并将在需要使用低数值孔径EUV多路复用**或使用高数值孔径EUV的后2nm阶段工艺中发挥至关重要的作用。
从时间线来看，2nm的发展越来越近了。
目前，最先进的量产技术是3nm工艺，三星于去年6月开始量产，而台积电则在去年年底开始量产。 在2nm层面，三星计划在2025年上半年量产，台积电也设定了2025年下半年的量产时间表。 英特尔是最激进的，提出了 IDM2自0转型以来，提出四年五节点计划，计划今年上半年量产20A，即2nm级产品，下半年开发18A工艺18nm产品，以赶上2nm节点重塑格局。
至此，高钠EUV之战已经全面展开。
英特尔可以进攻和撤退，也可以防守
英特尔之所以抢占先机，除了前面提到的和它希望在2nm之后率先出现之外，也是决定英特尔代工未来方向的X因素。
有分析人士指出，2nm的量产对英特尔未来的发展有着决定性和关键性的影响，是攻击台积电的成败节点。 如果英特尔在2nm节点上处于领先地位，推出速度快于台积电，提高良率，它将是第一家使用高数值孔径EDU并开始量产的公司，有望得到部分客户的认可和订购，那么其IDM20战略将顺利推进，未来代工格局有望超越三星，迈向新的高峰。
而且引领潮流的不仅仅是设备，英特尔还有一个诀窍：英特尔将首次在英特尔 20A 工艺节点中使用反向供电的 BSPDN 技术。 与EUV光刻机类似，BSPDN被视为一项创新技术，可以继续开发下一代先进工艺，并且是晶圆代工巨头的另一个竞争高地。 在后电源层面，英特尔一路领先，台积电和三星将落后一两年。 在双重保险下，英特尔似乎有机会获胜。
但是，如果失去了这个机会，一些激进的分析师表示，英特尔可能会将Fab-lite进行到底，甚至变成Fabless。 只不过，从目前来看，英特尔可以说是攻防兼备，无论是修复还是剥离，都将是一笔可观的资产。
由于 2nm 节点对英特尔如此重要，英特尔的大赌注也就不足为奇了。 英特尔目前正在购买ASML的EUV测试设备Twinscan Exe：5000，以学习如何更好地使用高数值孔径EUV设备，获得宝贵的经验，并计划从2025年开始使用Twinscan EXE：5200量产18A制程芯片。
关键问题是，英特尔能否扭转战局？ 目前，英特尔面临着许多挑战。 一方面，高数值孔径EUV的成本居高不下，高数值孔径EUV光刻机的试制成本也超过3亿美元。 另一方面，高数值孔径EUV器件本身面临许多挑战，例如可以支持光子散粒噪声和生产力要求的光源; 遇见 055Na溶液，焦深小; 计算光刻能力; 掩模制造和计算基础设施（包括新材料等）需要英特尔的时间和精力。
此外，英特尔的竞争对手也在寻求收购高数值孔径EUV。 三星电子副董事长兼设备解决方案部门负责人Kyung Kye-hyun近日表示，该公司已与ASML达成协议，购买高数值孔径EUV。 Kyung Kye-hyun说：“三星已经确保了高NA设备技术的优先权，我相信从长远来看，我们已经创造了一个机会，可以优化高NAP技术在DRAM存储芯片和逻辑芯片生产中的使用。 ”
此外，虽然台积电推出高数值孔径EUV的速度并不慢，甚至比英特尔晚，但凭借20多年的革命性“友谊”和与ASML的实践经验，台积电未必能够超越。
2nm的趋势
至于台积电不急于推出高数值孔径EUV的原因，台湾专家吴子豪在一篇文章中表示，由于目前ASML高数值孔径EUV的采购和生产成本高，从工艺稳定性和量产经济效益的角度来看，未必有利于台积电第一时间推出并占据优势。 台积电着眼于未来，将大力采购WPH为220的下一代量产机型，即Twinscan EXE：WPH更高的5200、5200甚至5400机型数量，是三大晶圆代工巨头未来竞争的重点。
还应该注意的是，由于台积电的全球扩张和工厂建设，资本支出可能会大大倾向于海外扩张。
早在 2021 年，ASML 就与台积电合作开发早于高数值孔径 EUV 的 alpha，而在台积电完成一系列量产优化后，ASML 正式推出第一代 TWINSCAN EXE，一款用于测试的高数值孔径 EUV 器件：5000，在使用高数值孔径 EUV 方面，台积电的工程师们抓住了机会。 再加上台积电和ASML20多年的共同成就和革命性情感，在EUV达到合适的成本后，台积电可以在几分钟内从ASML那里得到它想要的EUV。
业内知名专家莫大康认为，英特尔希望缩小与高数值孔径EUV的差距，但实际上是有风险的，因为成本太高，需要配套材料和设备配合，磨合时间长。 台积电之所以冷静，可能也是因为英特尔不可能实现超越，否则台积电一定会竭尽全力抢占先机。
要开发2nm，台积电也可以通过在原有EUV的基础上多次加装来实现，台积电应该要等到高数值孔径EUV更成熟，配套生态更完整后再动手。 莫大康进一步分析道。
但台积电的危机可能不是高数值EUV的推出早或晚的问题。
上述分析人士指出，虽然恒强科技是先进技术强者，但台积电近期因华为麒麟芯片代工事件被推上风口浪尖，下一步美国是否会采取措施限制台积电代工，还很难说。 而且，英特尔芯片不断迭代，英伟达竞争对手的AI芯片也有可能在未来两三年内快速发展。