ASML Research Super NA光刻机！ 2024年影响0 2nm工艺

法士特科技2月17日报道称，ASML已向英特尔交付了首台高数值孔径EUV极紫外光刻机，将用于制造2nm工艺以下的芯片，未来台积电和三星也将收到，可直接达到1nm工艺。

那么在那之后呢？ 据消息称，ASML正在研发下一代Hyper NA光刻机，以延续摩尔定律。

ASML第一代Low Na EUV光刻机仅为033 Na（孔径值）和临界尺寸 （CD） 为 135nm，最小金属间距为26nm，单个**下的内部连接间距约为25-30nm，适合制造4 5nm工艺。

使用双**，内部连接间距可以减小到21-24nm，并且可以制造3nm工艺，例如台积电N3B。

第二代EUV光刻机增至055 Na，临界尺寸减小到8nm，最小金属间距约为16nm，可以制造3-1nm，例如，英特尔透露它将在1首先在 4nm 节点上使用。

在接受采访时，ASML首席技术官Martin Van den Brink证实，ASML正在研究Hyper NA技术的发展，并继续推进各种光刻指标，其中NA值将超过0。7. 预计2030年左右完工。

它表示，新的EUV光刻机适用于制造逻辑处理器芯片，比高数值孔径双**便宜，也可用于制造DRAM存储芯片。

ASML披露的数据显示，低数值孔径光刻机的成本至少为183亿美元，高数值孔径光刻机更是3起价为 8 亿美元。

根据微电子研究中心（IMEC）的路线图，应该有可能在2030年左右推进到A7 07nm工艺，其次是A5 05nm、a3 0.3nm、a2 0.2nm，但这必须在 2036 年左右发生。