英特尔首次收到高NA EUV订单，台积电为何还在等待？

英特尔首次收到高NA EUV订单，台积电为何还在等待？

就在英特尔宣布收购ASML全球首台高纳秒级EUV光刻机后，这一消息引起了业界的极大关注。 但与此同时，当下的半导体生产巨头台积电并没有采取行动，而是采取了观望策略。

据多方消息，台积电计划于2025年至2027年实现2nm工艺的规模化生产，并将推出14 nm 和 1 nm 工艺，1 nm 工艺要到 2030 年才能量产。 台积电不会在 2 nm 和 1高数值孔径EUV光刻技术用于4 nm工艺，直到2030年的1 nm节点。

由此可见，台积电对高数值孔径EUV光刻机的需求不如英特尔强劲。 对于光刻技术的重大创新，台积电采取了并排的态度，这非常令人费解。

首先，英特尔对高数值孔径 EUV 光刻技术的热情从何而来。

高数值孔径极紫外 （EUV） 光刻是一种最先进的工艺，可实现高精度、高质量的 EUV 光刻。 通过增加透镜的参数，高数值孔径EUV光刻允许入射光束在更高的方向上通过，从而获得更高的图像分辨率。

通过本项目的研究，有望实现基于高数值孔径极紫外光刻工艺的高精度、低能耗器件，为未来在相关领域的研究和应用奠定坚实的基础。 因此，英特尔在这款设备上取得了领先地位，领先于它，并获得了这款设备。

然而，面对如此诱人的技术，台积电为何犹豫不决？ 这样做的原因是非常必要的。

台积电作为全球领先企业，其一举一动都是全球关注的焦点。 由于na型极紫外光刻是一项高度创新的技术，台积电将继续拭目以待，这其中有很多考虑因素。

i.由于成本问题。

NA型EUV光刻是一种非常昂贵的光刻工艺，据说一台新型NA型EUV光刻机的成本高达4亿元。 此外，采用这种工艺制造芯片的成本非常高，3nm芯片的价格已经达到2万元，而下一代芯片的价格将上涨50%左右。

如果需要重复使用更高**的光刻单元，成本会增加。 高昂的成本让台积电不得不慎重权衡是否采用这项技术。

2.未知的市场状况。

尽管高n值极紫外光刻技术具有许多优点，但目前市场需求尚不清楚。 此外，随着销量的下滑，厂商购买新芯片的意愿也有所下降，这也对台积电采用这项新技术产生了一定的影响。

此外，由于各厂商发布EUV高纳米光刻设备的时机和策略不一致，其市场需求也各不相同。

台积电作为行业领导者，必须紧跟市场发展，及时改变技术引进策略，以满足市场需求。 由于目前市场行情尚不明朗，台积电为了抓住更多机遇，保持竞争力，选择了观望。

iii.评估该技术反复出现的危险和生产能力的提高。

随着半导体技术的进步，未来将提出更先进的工艺技术。 台积电必须注意技术迭代的风险，以防止未来因过早采用新技术而在市场上处于劣势。 作为行业领导者，台积电深知再复制过程带来的危险。

这就要求台积电在引入新技术时，充分考虑技术迭代带来的潜在风险，确保台积电持续走在行业前沿。

此外，台积电的营收和利润主要得益于先进的技术，而台积电去年因严重缺乏先进工艺能力，已经停止了部分极紫外光刻设施。 如果台积电继续采购NA型EUV光刻机，台积电将承担巨额的设备折旧成本。

台积电采取"走着瞧"这也是因为其技术门槛高，工艺技术要求高，对高数值孔径EUV光刻机的要求高。 整体而言，台积电采取了高数值孔径极紫外光刻工艺创新"走着瞧"有多种考虑因素。

不过，这也体现了台积电在业内的审慎与决心，也体现了半导体行业在技术创新和市场竞争方面的复杂性和不稳定性。 那么，您认为台积电为什么如此急于购买高数值孔径的EUV光刻机，而不是与英特尔竞争呢？