英特尔收到全球首款高数值孔径EUV,何必还等?
此前,英特尔宣布收购ASML全球首台高分辨率极紫外光刻机,该机在世界范围内引起了广泛关注。 然而,与目前的半导体巨头台积电一样,该公司仍在等待时机。
根据多份**披露,台积电目前正向2纳米工艺迈进,有望在2025-2027年实现量产,14 nm 和 1 nm 工艺的量产,而 1 nm 工艺要到 2030 年才能量产。 台积电不会在 2 nm 和 1高数值孔径EUV光刻用于4nm工艺,到2030年仅在1nm节点使用。
然而,台积电对高分辨率极紫外光刻机的需求远不如英特尔那么迫切。 有人可能会问,为什么台积电决定等待这场关键的光刻革命开始。
首先,有必要了解英特尔热衷于引入高数值孔径极紫外光刻技术。
Hi-NA极紫外光刻技术具有分辨率高、线宽窄等优点,是半导体加工领域的前沿技术之一。 Hi-NA极紫外光刻通过增加透镜参数,使光从多个角度透射,从而提高了图案的分辨率。
通过该项目的实施,有望获得高性能、低功耗的极紫外光刻芯片,将为未来技术的发展提供强有力的技术支撑。 因此,英特尔是第一个购买该设备的公司,使其在设备上领先于竞争对手。
然而,面对如此诱人的技术,台积电为何犹豫不决?这是一个值得深入研究的问题。
作为半导体行业的领军企业,台积电非常关注台积电的一举一动。 鉴于高数值孔径极紫外光刻工艺的创新性,台积电考虑以下因素,决定观望。
i.成本因素。
高数值孔径EUV光刻技术是一项非常昂贵的技术,据报道,下一代数值孔径EUV光刻的成本高达4亿美元。 此外,采用该技术制造的芯片成本非常高,3nm芯片的单价接近20,000美元,而下一代芯片的**仅为其50%左右。
如果使用昂贵的显微成像设备,成本会上升。 因为成本太高,台积电在考虑引进这项技术时一定要慎重考虑。
ii.未知的市场状况。
虽然高精度极紫外光刻有很多优点,但目前市场需求尚不明确。 此外,由于手机销量下滑,厂商购买芯片的意愿降低,台积电决定推出一项新技术。
此外,不同的厂商推出高纳秒极紫外光刻技术的时机和策略也不同,市场需求也不同。
作为市场领导者,台积电必须密切关注市场动态,并及时调整其技术推出策略,以应对市场需求。 台积电因市场需求仍不确定而选择观望,以充分把握市场机遇,确保竞争优势。
iii.兼顾技术创新和能力提升的风险。
随着半导体技术的进步,未来可能会出现更先进的工艺技术。 台积电必须考虑技术迭代带来的风险,避免因过早采用新技术而对未来市场竞争产生不利影响。 作为市场领导者,台积电深知技术迭代的风险。
这就要求台积电在引入新技术时,要充分考虑技术迭代带来的风险,以保证其技术发展轨迹不变。
此外,台积电的主要营收和利润**是先进工艺技术,但目前先进工艺产能过剩,去年部分UV光刻厂已经关闭。 如果台积电为其EUV光刻机购买更多设备,台积电将仅因设备折旧费用而望而却步。
除了以上三点,台积电持观望态度的原因,可能也是因为技术门槛高,对高数值孔径EUV工艺技术的高需求。 整体来看,台积电对高数值孔径EUV光刻技术创新持观望态度,原因有很多。
然而,这反映了台积电作为市场领导者的审慎和审慎,以及半导体行业技术创新和市场竞争的复杂性和不确定性。 既然如此,为什么台积电没有和英特尔争夺速度,而是抢购高精度EUV光刻机呢?