ASML向英特尔交付第一台High NA光刻机，可能耗资4亿美元

2024年初，ASML宣布与英特尔的长期合作进入新阶段，双方将携手推进半导体光刻前沿技术。 英特尔还向ASML订购了业界首款Twinscan EXE：5200系统，这是一款大批量极紫外（EUV）生产系统，具有高数值孔径（High-NA），每小时可生产200多片晶圆，为两家公司之间的长期高数值孔径EUV技术合作奠定了基础。

据TomsHardware称，ASML已向英特尔交付了业界首台High-NA EUV光刻机。 从本周开始，新设备将从荷兰费尔德霍芬运往英特尔位于美国俄勒冈州希尔斯伯勒的半导体技术研发设施，并在未来几个月内安装。 High-NA EUV光刻机的体积非常大，需要使用13个集装箱和250个板条箱进行运输。 据了解，每台High-NA EUV光刻机的成本约为3亿至4亿美元。 2018 年，英特尔从 ASML 购买了 Twinscan Exe：5000 系统，将其用作测试机器，以更好地了解 High-NA EUV 设备的使用并获得宝贵的经验。 英特尔 18A 工艺计划于 2025 年量产，英特尔将推出 High-NA EUV 光刻技术，该技术将领先于竞争对手台积电和三星。 High-NA EUV光刻机将提供055数值孔径，与之前配备的0相同与33 NA透镜的EUV系统相比，精度将得到提高，并且可以实现更高分辨率的图形化，从而实现更小的晶体管特性。

由于下一代光刻设备与传统产品之间存在许多差异，并且需要对基础设施进行大量修改，因此早期部署可能会给英特尔带来竞争优势。 一方面有更多的时间进行技术调整，另一方面有更多的时间进行基础设施改造，以更好地适应High-NA EUV光刻机的使用。