本文由Semiconductor Industry Vertical（ID：icViews）综合。
作为台积电最大的客户，苹果往往是第一个获得其新芯片的公司。
近日，一位消息人士在LinkedIn上透露，苹果已经悄悄开始了基于台积电2nm工艺的芯片设计工作。 据悉，此人是苹果项目的参与者之一。
作为全球领先的半导体制造商，台积电一直在积极推进其2nm工艺节点的研发进程。 根据最新消息，该公司计划于2024年4月将第一台2nm工艺机投入生产。 不过，此前有报道称，台积电中科2nm工厂的交付时间可能会推迟。 为了应对这一潜在风险，台积电决定将高雄工厂直接切入2nm项目，预计2025年实现量产。
台积电的 2nm 芯片计划使用 N2 平台，并引入 GAAFET（全栅场效应晶体管）纳米片晶体管架构和反向供电技术，使其能够以更小的晶体管尺寸和更低的工作电压实现更快的速度。 据悉，台积电研发的2nm工艺技术，在保持相同功耗的情况下，与3nm工艺相比，可实现10%至15%的速率提升; 在相同的速率下，功耗可以降低 25% 到 30%。
作为台积电最大的客户之一，苹果多年来一直在推出新工艺，并长期获得排他性。 例如，iPhone 15 Pro 已经发布了四个月，但 A17 Pro 仍然是 3nm 独有的。 根据Macrumors的最新报道，台积电的2nm工艺仍将是苹果的首次推出，并实现独家经营。
全球半导体行业正处于竞争激烈的时代，台积电、三星、英特尔等领先的工艺代工厂在技术研发上不断取得突破。 2nm级工艺技术逐渐成为竞争激烈的半导体代工市场的焦点。 与目前使用的4nm制程芯片相比，更高的制程技术无疑可以为手机用户带来更长的电池寿命、更好的性能和散热控制，并提供更多的功能。
三星电子已经计划明年开始生产2nm制程技术，预计到2047年将投资500万亿韩元在韩国建设超大型半导体生产基地，专注于2nm制程技术的制造。 根据三星此前发布的技术路线图，预计2025年上市的2nm级SF2工艺，在相同条件下，能效可提升25%，性能提升12%，面积提升5%。
英特尔则表示，它已经完成了英特尔20A（2纳米级）和英特尔18A（1）的实施。8nm）芯片制造工艺研发。据悉，英特尔的Intel 20A制造工艺依靠栅极全圆带状FET晶体管，采用背面供电，可以减小金属间距，这是一项重大创新，但存在一定风险。 英特尔 18A 制造工艺将在英特尔 20A 工艺上使用该公司的 RibbonFET 和 PowerVIA 技术进一步完善，并进一步减小晶体管尺寸。 英特尔预计将在 2024 年上半年开始商业使用英特尔 20A 工艺，此举有望让英特尔在 2024 年在该领域赶上甚至超过其竞争对手台积电和三星。
随着EUV光刻机在7nm以下工艺中的重要性日益增加，各大半导体厂商与ASML的合作也变得更加频繁和紧密。 目前，台积电和三星都在使用EUV设备进行制造，包括台积电的7nm、5nm和3nm工艺，以及三星在韩国华城的EUV线（7nm、5nm和4nm）以及3nm GAA工艺。 在2nm制程方面，台积电、三星、英特尔、Rapidus等都与ASML接洽，其目的是让2nm制程量产的关键设备，也就是ASML手中最新的高数值孔径EUV光刻机。
ASML计划在2024年生产10台High-NA EUV光刻机，ASML计划在未来几年内将此类芯片制造设备的产能提高到每年20台。
其中，三星正准备确保下一代High-NA EUV光刻机的生产，预计将于今年晚些时候进行原型设计，并于明年正式上市。 值得注意的是，ASML于今年12月中旬与三星电子签署谅解备忘录，共同投资1万亿韩元在韩国建立研究中心，并将使用下一代极紫外光刻机研究先进的半导体工艺技术。 据悉，三星电子将在五年内从ASML购买50台设备，单价每套约2000亿韩元，总价值高达10万亿韩元。
英特尔将于今年年底推出用于英特尔18A工艺的ASML High-NA EUV光刻机，据悉，英特尔已经购买了其中的6台。 英特尔强调，借助High-NA EUV光刻机，理论上可以实现“四年五节点工艺”的目标。
Rapidus已决定在2024年底前引入EUV光刻技术，并将派遣员工到荷兰的ASML学习EUV极紫外光刻技术。 Rapidus正在北海道建设一家芯片工厂，并计划在2027年量产采用2nm工艺的芯片。
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