如今，全球最大的两大晶圆厂在3nm工艺上取得了突破。 台积电已成功为苹果制造3nm芯片，包括A17Pro和M3系列。 虽然三星目前还没有推出基于3nm工艺的手机芯片，但去年已经开始量产，并被矿机厂商采用。 下一个目标是2nm工艺，届时将有三家厂商竞争，分别是台积电、三星和英特尔。 台积电计划在2024年采用Gaafet晶体管技术实现2nm工艺，并已演示N2原型工艺。 然而，台积电的进展令人担忧，因为N2是台积电首次采用Gaafet晶体管技术，因此不确定是否会在2024年实现量产。 同时，三星还计划在2024年量产2nm芯片，该公司去年在3nm工艺中采用了Gaafet的新型晶体管架构，因此凭经验进入2nm工艺更安全。 另一方面，英特尔决定加入这场竞赛，此前曾命名过芯片制程，但后来意识到与台积电和三星的差距越来越大，于是改变了策略，直接赶上了2nm制程，有望实现18nm工艺和GAAFET晶体管技术。 英特尔表示，有望成为全球首家进入2nm工艺的厂商。 不过，台积电宣布，自己的3nm工艺在功率、性能、密度等方面可与英特尔的18A相媲美。 虽然2nm是三大巨头的新战场，但中国暂时没有资格参展，只能拭目以待。 目前，我们还在追赶5nm，华为的麒麟9000证明了我们已经具备了7nm的能力，接下来的目标是实现5nm工艺，这不容易但也不难实现。 据林本建介绍，通过浸没式光刻机和多**法，我们有能力进入5nm工艺，与2nm工艺的差距并不遥远，只有第二代的差距。 此外，现在超过97%的芯片都在采用5nm及以上的工艺，所以我们和芯片巨头的差距正在缩小，这是美国不愿意看到的，但也是我们期待已久的结果。
台积电和三星作为全球最大的两家晶圆厂，都成功突破了3nm工艺。 台积电在3nm制程上的突破，使其成为苹果的合作伙伴，并为其制造了A17Pro和M3系列芯片。 同时，三星虽然尚未推出基于3nm工艺的手机芯片，但已于去年开始量产该工艺，并已被矿机厂商采用。 这两家厂商的突破，让全球对更先进技术的追求更加强烈。
台积电的下一个目标是2nm工艺，计划于2024年实现量产。 该公司将使用GaAFET晶体管技术，并已经演示了N2原型工艺。 然而，由于N2是台积电首次使用Gaafet晶体管技术，因此对其进展存在担忧，并对2024年能否如期量产表示怀疑。 相比之下，三星已经在3nm工艺中采用了Gaafet的新型晶体管架构，并积累了宝贵的经验，因此进入2nm工艺会更加安全。 三星还计划在2024年量产2nm芯片，这将进一步提升其在芯片领域的竞争力。
另一方面，英特尔也决定加入2nm工艺的竞赛。 此前，英特尔一直通过命名自己的芯片工艺来区分自己，但随着它与台积电、三星的差距拉大，英特尔改变了策略，直接赶上了2nm工艺。 公司计划到2024年底实现1.目标8nm工艺，采用相同的Gaafet晶体管技术。 英特尔的目标非常激进，称有望成为全球首家进入2nm工艺的厂商。
虽然中国目前没有资格参与2nm工艺，但我们正在向5nm工艺迈进。 华为麒麟9000S芯片证明我们已经具备了7nm的能力，这意味着我们距离实现5nm工艺已经不远了。
据专家林本建介绍，浸没式光刻机和多**技术是我们实现5nm工艺的基础。 使用浸没式光刻机可以提高光刻技术的分辨率，从而加快芯片制造的速度和精度。 多**技术可以在同一级别多次执行，进一步提高了芯片的精度和性能。 凭借这些先进的工艺和技术，我们能够赶上5nm工艺水平。
值得注意的是，5nm和2nm之间的差距并不遥远，只是两代之间的差距。 目前，采用5nm及以上工艺的芯片已经占据了97%以上的市场份额，这意味着与芯片巨头的差距正在缩小。 这对我们来说是一个巨大的机会，但对美国来说可能是一个巨大的威胁。 在全球科技竞争中，我们正在逐步迎头赶上，获得更大的话语权。
芯片技术的进步关系到一个国家的科技实力。 在过去的几年里，台积电和三星凭借其技术实力和庞大的订单引领世界，但中国正在稳步追赶。 我们已经拥有7nm制程能力，华为的麒麟9000S芯片就是一个成功的例子。 现在，我们的目标是5nm工艺，并借助浸没式光刻和多**技术，我们希望在不久的将来实现这一目标。
与此同时，全球仍在围绕2nm工艺展开竞争，许多制造商已经投入了大量的资源和精力。 台积电、三星和英特尔都有望成为全球首批实施 2nm 工艺的制造商。 虽然中国还没有参加这场竞赛，但这并不影响我们的发展。 我们正在按照自己的节奏逐渐成为芯片强国。
回顾过去，中国科技从无到有，从追随者到追赶者，再到今天的创新者。 我们站在世界科技前沿，拥有自主研发能力和世界一流的科学家。 尽管道路仍充满挑战，但我们相信，通过不断的努力和创新，中国将成为芯片领域的领先国家，为世界科技发展做出更大的贡献。