随着科学技术的进步，芯片工艺也在不断升级。 目前，全球最大的两大晶圆厂台积电和三星已进入3nm制程阶段。 下一个目标是2nm工艺，本次竞争将涉及三大巨头，分别是台积电、三星和英特尔。 这三家制造商都制定了雄心勃勃的计划，即到2024年实现2nm工艺的大规模生产。
1、台积电：采用GAAFET晶体管技术，2024年量产目标不确定。
台积电计划在2024年实现2nm工艺的量产，采用Gaafet晶体管技术。 然而，由于台积电开始在N2中使用Gaafet晶体管技术，因此2nm工艺阶段的进展可能会略有不确定性。 不过，台积电已经展示了N2原型工艺，显示了其技术实力。 虽然能否如期在2024年达到量产仍不得而知，但台积电的技术素质和实力一直让人期待能否实现目标。
三星还计划到2024年量产2nm芯片，该公司已经在3nm工艺方面拥有实际应用经验。 去年，三星推出了一款采用新型GAAFET（环绕栅极）晶体管架构的3nm工艺芯片，因此其进入2nm工艺的稳定性很高。 三星积累的实践经验为其下一步目标奠定了良好的基础，因此可以预见，三星将继续保持其在2nm工艺中的领先地位。
与台积电和三星相比，英特尔在芯片技术上远远没有赶上。 然而，与两家竞争对手的差距逐渐拉大，英特尔决定加入2nm工艺的竞争。 一向坚持自己进程命名方式的英特尔，为了迎头赶上，直接改名为进程。 它的目标是非常激进的，计划到 2024 年底实现 1.采用相同Gaafet晶体管技术的8nm工艺量产。 这也意味着英特尔有潜力成为全球首家进入2nm工艺的厂商。 不过，台积电并不弱，表示自己的3nm工艺在功率、性能和密度上可以与英特尔的18A相媲美。
虽然台积电、三星和英特尔已经开始在2nm工艺上竞争，但中国大陆还没有机会参与芯片领域。 然而，中国大陆并没有袖手旁观，一直在工艺研发上不断努力。 目前，中国大陆的主战场是5nm工艺。
华为的麒麟9000s芯片证明了中国在7nm工艺方面的实力。 这一成绩表明，中国芯片制造业有能力在7nm工艺下进行研发和量产。 这也为接下来的5nm工艺奠定了坚实的基础。
有专家表示，中国已经具备了实现5nm工艺的基础和能力。 据技术专家林本建介绍，浸没式光刻机经过多次**后可以实现5nm工艺。 这意味着中国已经具备了进入5nm工艺的基础和能力，与台积电和三星的差距不再太大。 此外，超过97%的芯片使用了5nm及以上工艺，说明中国在5nm工艺上的进展非常接近，并且正在不断缩小与世界巨头的差距。
目前，全球芯片巨头都在竞相推动芯片技术的发展，目标正在逐步从3nm迈向2nm。 台积电、三星、英特尔都在努力实现2nm工艺的量产，其中台积电和三星在3nm工艺上取得了实质性进展，而英特尔则加入了战场，力争成为全球第一家进入2nm工艺的厂商。 同时，中国大陆正在追赶5nm工艺，并通过华为麒麟9000s等成果证明了自己在7nm工艺上的实力，为攻克5nm工艺奠定了坚实的基础。 中国在研发和实力方面已经具备了进入5nm工艺的能力和基础，中国与全球巨头的差距越来越小。
综上所述，全球芯片巨头的竞争，逐渐让2nm工艺成为现实。 与此同时，中国大陆在追赶5nm工艺方面也取得了重大进展。 未来，全球芯片制造业的竞争将更加激烈，中国芯片产业也有望在世界舞台上展现出更大的实力和影响力。