在芯片制造过程中，光刻机是不可缺少的设备。 不同类型的光刻机和工艺之间存在一对一的对应关系。 例如，干式DUV光刻机使用波长为193nm的深紫外光源，适用于制造130至65nm的芯片。 浸没式DUV光刻机用于将波长为193nm的深紫外光源折射通过水后，制造出65nm至7nm的芯片。 EUV光刻机使用波长为135nm EUV光源可以制作5nm及以下的芯片。 由此可见，光刻机精度的提高与光源的演进密切相关。 光源的波长越小，精度越高，要制造的芯片工艺越小。
拓展：光刻机技术的发展是芯片制造的关键环节。 随着芯片技术的不断进步，对光刻机的要求也越来越高。 早期的光刻机使用紫外光源，随着工艺的减少，深紫外光源逐渐取代了传统的紫外光源。 EUV光刻机是目前最先进的光刻技术，可以实现更高的分辨率和更小的工艺。
然而，波长为 13有了5nm EUV光刻机，光源的波长已经达到了极限，不能再减小了。 这是因为如果波长较小，调整反射角度将导致巨大的光损失，从而无法获得足够的光能进行光刻。 如果增加光能以抵消光损失，则需要扩大光源系统和反射镜，这将导致昂贵的光刻机尺寸急剧增加，使其无法生产和运输。
扩展：光刻机光源的波长是决定其分辨率和精度的关键因素。 波长越短，光的细节信息越丰富，分辨率越高。 然而，在实践中，光源波长的减小面临着许多技术挑战和物理限制。 因此，EUV光刻机的开发是一项极具挑战性的任务。
虽然不能再降低光源的波长，但光刻机的分辨率仍然可以通过其他方式提高。 其中，两个关键因素是数值孔径（NA）和光刻工艺因素。
数值孔径是一个参数，表示光刻系统能够收集和聚焦多少光。 在ASML的几代光刻机中，数值孔径不断增加，从最初的025 比 033。下一代EUV光刻机的数值孔径将为055，但 ASML 也暗示这可能是最后一次提升，因为一旦它达到 055岁以后，将很难进一步提高。
除数值孔径外，光刻工艺因素也是影响光刻机分辨率的重要因素。 目前，ASML的EUV光刻机突破了025个光刻工艺因素。 不过，ASML联席CEO表示，进一步的突破将需要所有合作伙伴的共同努力，ASML不确定能否实现。
扩展：数值孔径和光刻工艺因子的提高是光刻技术发展的关键。 数值孔径的增加增加了系统收集和聚焦光的能力，从而提高了分辨率和精度。 光刻工艺因素的突破可以通过引入更多的分辨率增强技术来实现，如OPC和多种图案。 然而，随着分辨率接近极限，进一步增加数值孔径和光刻工艺因子将更具挑战性。
近日，ASML宣布，该公司的联席总裁Wennink和Van den Brink将于明年4月退休。 这不禁让人不禁思考，这两人离任后，ASML下一步将在哪里突破这是否意味着ASML的EUV光刻机已经走到了死胡同？
在光刻机领域，ASML一直是行业领导者。 他们的技术和产品在市场上占有重要地位。 虽然在EUV光刻机的波长极限下，光源的进一步改进变得困难，但ASML仍有其他途径可以继续提高光刻机的分辨率。
首先，ASML可以在数值孔径上进行优化。 虽然 na 已达到 055、但仍有可能在光刻机的设计和光学元件上进行创新，以进一步提高光学系统的集光能力，从而获得更高的分辨率。
其次，ASML可以继续开发和应用更先进的光刻工艺因子技术。 虽然目前的光刻工艺因素已经突破了理论极限，但新技术和新方法的不断引入有可能进一步提高光刻机的分辨率。 ASML可以与其他合作伙伴合作，推动整个芯片制造行业的发展。
总而言之，CEO的离职并不意味着ASML的EUV光刻机已经死了。 相反，这是一个新的开始，一个向前迈进的机会。 ASML作为领先的光刻机制造商，拥有雄厚的技术实力和创新能力，有能力持续引领光刻技术的发展。 相信在ASML的不断努力下，光刻机的分辨率和精度将不断提高，为芯片制造业的发展做出更大的贡献。