高端光刻机方面，哈尔滨工业大学迎来技术突破，欧美竞争力下降
半导体行业一直是中国的薄弱环节之一，需要加倍努力，尤其是随着14nm芯片的量产和尖端光刻技术的出现。
如今，在尖端光刻技术方面，哈尔滨工业大学已经开启了技术破冰之旅，好消息是欧美国家的优势不复存在！这是怎样的突破？
在介绍这个好消息之前，我们首先要提一下中国半导体领域的情况，虽然中国企业在半导体领域的发展是一个很长的故事，但发展速度相当可观。
在推广全球经济一体化的概念后，许多公司都提出了一个特殊的概念，即用不同制造商的零部件组装的产品。
最好的例子是苹果、iPhone作为智能手机的先驱，经过全球经济一体化后，平均一代机型从原材料、零部件、生产到组装都会涉及全球约190家公司，覆盖面广。
相比之下，半导体领域引发了一种特殊的惯性思维，即："购买胜于建造"由于自主研发的半导体芯片技术和自主研发的半导体制造设备复杂，许多制造商和企业选择直接购买芯片。
当然，也有那些在自我发展道路上一直持之以恒的，比如华为、中芯国际等。 毋庸置疑，前者早在2024年就从ASML订购了一台EUV光刻机。
由于更先进的芯片技术自然发展，但遗憾的是，由于美国的干涉，中国不仅没有获得EUV光刻机，而且从此失去了EUV光刻机"采购资格"。
中国没有EUV光刻机，所以技术先进的芯片只能进口，而美国曾经在半导体领域拥有多家美国巨头，所以中国企业终于感受到了"卡脖子"的危险。
因此，开始大力推进自主研发、自主控制的自生集成电路技术在半导体领域的战略部署，国产自主研发的光刻机也投入巨资进行研发。
如今，面对DUV光刻机的短缺，哈尔滨工业大学带来了一个好消息，即通过自主研发的技术实现了高速超精密极光干涉仪，这是光刻机的重要组成部分。
据了解，这种高速超精密极光干涉仪可以应用于350 nm和28 nm工艺之间的多个节点。
最重要的是，哈尔滨工业大学曾表示，该技术可以为7nm以下的先进工艺芯片带来重要的共性技术储备。
这意味着，这款高速、超精密的偏振干涉仪已经达到了一个成熟的水平，后续对该设备的升级或参数变更，可能会让接下来的7nm工艺芯片生产线得以利用。
当然，随着我国半导体领域自主研发技术的不断深化，EUV光刻机在其他关键环节也具有一定的先发优势，如EUV激光光源、双工位等。
可以说，中国自主研发EUV光刻机的目标已经不远了，此前在ASML和EUV光刻机上具有优势的欧美国家代表几乎一去不复返了。
值得一提的是，中国上海微电子目前正专注于28nm工艺半导体制造设备的研发，预计2年内开始商业化。
28纳米工艺芯片可以满足半导体技术产业近80%的需求，因此这也意味着我国半导体自给率将进一步提高，向自给自足迈出一大步。
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