目前，在芯片制造领域，光刻工艺是几乎所有晶圆厂都采用的工艺，尤其是在相对先进的工艺中，即全是光刻工艺。
在光刻工艺下，光刻机、蚀刻机是必不可少的，其中光刻机是最重要的，由于其门槛高、研发难度大、链条复杂，是所有芯片制造设备中设备最多的。
更何况，世界上只有四家厂家能够生产光刻机，只有ASML能够生产7nm及以下芯片的EUV光刻机。
可以说，任何一家光刻机厂都很难制造出EUV光刻机，ASML已经将所有的上下游都绑在了自己的军舰上。
因此，其他光刻机厂家，近年来基本上都绕过了EUV技术，寻找其他技术来实现与EUV光刻机相同的功能。
其中，有几种技术大家也非常熟悉，分别是NIL纳米压印技术、BLE电子束技术、X射线技术、DSA自生长技术。
这四种技术被认为是最有可能绕过EUV封锁，实现7nm及以下技术方向的技术。
其中，NIL纳米压印技术进步最快，日本光刻机制造商佳能几年前与SK海力士合作推出了用于存储芯片的NIL纳米压印机，但它被用于65nm这样的工艺。
而去年，佳能发布了最新的纳米压印半导体器件FPA-1200NZ2C，称它可以用于制造5nm芯片，而无需使用EUV。
近日，佳能再次表示，这款纳米压印机FPA-1200NZ2C将于今年量产，这款纳米压印机的成本仅为EUV的10%左右，功耗仅为EUV技术的10%。
同时，使用纳米压印机后，其配套设备，与EUV配套设备相比，降低了40%。
佳能还表示，该设备未来将继续升级，到2026年，有望用于制造2nm芯片，完全绕过EUV光刻机解决方案。
当然，由于这款纳米压印机FPA-1200NZ2C还没有完全量产，不知道佳能是在吹牛，还是真的好。
同时，有业内人士表示，纳米压印技术的良率估计低于EUV，产能和效率将远低于EUV解决方案，因此不太适合大规模芯片制造行业，更适合小批量芯片生产。
然而，不可否认的是，如果佳能的技术完全量产，将对EUV光刻机产生巨大影响，成为真正的颠覆者。
因为禁令，我们目前肯定买不到，但至少也给了我们一个新的学习方向，也许接下来，我们不必死在EUV技术上，你怎么看？