高速先生成员 - 江杰。
端接可以解决很多反射问题，如果还有问题，有没有可能端接电阻电阻值选择不正确？
对于点对点拓扑，端子分流电阻的电阻值相对容易选择，终端电阻的电阻值r与传输线的特征阻抗相同。
当VTT为1V时，终端电阻R取为30欧姆、50欧姆和70欧姆接收器电压，如下图所示
可以发现，当r和传输线的特性阻抗均为50欧姆时，接收端的信号基本没有被反射。 原因是接收器的输入阻抗通常很高，从信号的角度来看，传输到末端的信号的阻抗是终端电阻的电阻，r与传输线特性阻抗的匹配消除了阻抗突然变化引起的反射。
不幸的是，目前绝大多数 DDR 地址控制信号都是多驱动器拓扑结构，因此问题开始变得复杂。
当DDR的数据信号速率较高时，为什么我们更要关注DDR的地址控制信号？ 数据信号一般为点对点拓扑结构，且大多具有片上端接（ODT），信号质量通常通过简单的布线拓扑结构和端接加持更能保证。 设计DDR地址控制信号的难点在于其拓扑结构的复杂性，一个驱动器的路由拓扑结构对信号质量的影响太大，即使速率与数据信号相比减半。
为了使终端电阻的效果更加明显，我们选择了一个困难的情况：一个驱动器和九个驱动器的DDR4地址信号，速率为1600Mbps。
由于反射更有可能在近端粒子 DRAM1 DRAM2 处积聚，因此信号质量更有可能成为那里的瓶颈。
为了进行比较，让我们看一下未端接的近端 DRAM1 信号。
不出所料，波形混乱，眼图闭合。
让我们来看看近端粒子的信号质量如何根据39欧姆终端电阻的原始设计而变化。
很明显，波形质量有了很大的提高，眼睛也睁开了。 但是，某些波形仍会落在阈值电平（vih：690mV; vil：510mV），在这种情况下，时序很可能会失败。
下面扫描三个终端电阻值：25ohm、39ohm和51ohm，近端粒子信号的波形对比如下：
可以发现，信号质量根据这三个电阻值由大到小的变化而逐渐提高。
在比较眼图的开放程度时，这种趋势更加明显。
为了看得更清楚，请展开时间轴上的三个眼睛图进行比较。
在阈值电平（vih：690mV; vil：510mV）作为判断标准，25欧姆端接电阻的眼图就足够了，其他两个就不够了。
当然，这是一个多负载拓扑结构，需要注意DDR上的其他信号。 通过对比，高速先生发现了一个有趣的现象，同样的电阻变化，远端粒子DRAM9上的信号质量变化与近端粒子完全相反。
幸运的是，远程DDR具有较大的信号裕量，因为它更接近终端电阻，因此可以“弥补不足”，即使选择最差的远端波形为25ohm，眼图也可以满足阈值电平要求。
这是否意味着所有单轮驱动多DDR地址控制信号都具有与终端电阻值变化相同的趋势？ 仅凭这个案子，High Speed先生无法得出一个笼统的结论。 唯一可以肯定的是：前途光明，道路曲折，阻力不确定。 拓扑结构越复杂，速率越高，就越需要通过**确定最佳端接电阻。
这就是问题所在。 您知道哪些方法可以优化 DDR 地址控制的信号质量？
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