广东又回到南田了！ 面对如此潮湿的南方，MOSFET不禁要问：我身上的静电从何而来？
北方气候相对干燥，南方湿度较小，不易产生静电（见下图）。
然而，这并不意味着MOSFET不会是静态的！ 那么，这种静电从何而来呢？
静电放电：这是大多数器件和IC设计和制造中的头号问题。
静电放电（ESD）一般是人为产生的，静电会在生产、组装、测试、储存和搬运过程中在人体、仪器或设备中积聚，但部件本身也会积聚静电。
产生静电的方式通常有四种：人体放电（HBM）、机器放电（mm）、元件充电（CDM）和电场传感（FIM），两种主要的测试模式通常是人体放电（HBM）和机器放电。
HBM： HBM 的行业 ESD 标准（MIL-STD-883C 方法 3015）。7、等效人体电容为100pf，等效人体电阻为15kohm)
mm：机器运动产生的静电在接触芯片时由引脚释放，ESD标准eia/jesd22-a115-a），等效机器电阻为0（金属，放电时间短，在ms或us之间），电容为100pf]。
由于等效电阻为0，因此电流非常高，此外，机器本身的导线之间有很多耦合，可能会干扰和变化。
CDM：设备带静电，当与接地导体接触时放电。
在相同的静电电压等级下，器件损坏程度：mm、cdm hbm、常用hbm、mm在产品规格中，电子器件的标准是HBM触点2kV。
收到上面的陈述后，你知道为什么MOS管要防静电吗？
众所周知，MOS管是一种ESD敏感器件，具有高输入阻抗和G-S之间的小电容，容易受到外部电磁场或静电感应的影响。
MOSFET的静电击穿有两种模式：
电压型：G极的薄氧化层分解形成针孔，缩短了G-S极和G-D;
电源类型：金属化薄膜铝带熔断，导致 G 和 S 极开路。
绝大多数MOSFET很少暴露在易受ESD影响的环境中，但在某些应用中，MOSFET会在GS之间增加ESD保护器，以提高其ESD保护能力。
然而，现在大多数MOSFET都不是那么容易击穿的，尤其是大功率VMOS，它们通常受到二极管保护，并且具有较大的栅极电容以感应高电压。 一些CMOS器件增加了IO端口保护，但不要用手直接接触CMOS器件的引脚，这样会导致可焊性差。
静电放电
形成的是短期大电流，放电脉冲的时间常数一般远小于器件散热的时间常数。
当静电放电电流流过PN结时，会产生较大的瞬时功率密度，并形成局部过热，甚至超过材料本身的温度（硅的熔点为1410），这将导致PN结短路并使器件失效。
功率密度越低，设备越不容易损坏。
与其他器件相比，MOS晶体管的ESD灵敏度略高。 然而，ESD是随机的，即使产生了ESD，也不一定会击穿MOS管。
溶液
贮存运输时，最好用金属容器或导电材料包装，避免化纤物品;
装配调试时，工具、仪器、工作台应接地良好，操作人员应避免穿尼龙、化纤服造成静电干扰;
MOS晶体管由电压驱动，悬浮的G极易受到外界干扰而使MOS导通，外部干扰信号对G-S结电容进行充电。 G悬架非常危险，很容易引起管道爆裂。 让G极接一个下拉电阻接地，外界干扰信号不会直通，一般这个栅极电阻可以是10-20K。
这个栅极电阻的作用之前也提到过：
偏置电压提供给 MOS。
它起着泄放电阻器的作用。
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