一年一度的国际固态电路会议（ISSCC）是了解闪存技术发展的窗口。 今年的ISSCC会议将于下个月在旧金山举行，已经公开的会议时间表将让您先睹为快，了解闪存制造商将宣布的一些新产品和技术。
三星将在 ISSCC 上推出 280 层堆叠 3D QLC 闪存。 它的亮点是每平方毫米 28 个5GB的超高存储密度。 近年来，闪存的单芯片容量基本在1TB级别，通过减少芯片面积提高了存储密度并降低了制造成本。 在当前的闪存生产中，Genic Ti600中使用的3D QLC闪存的测量值为20 mm²62GB（每平方毫米 19 个）8GB） 存储密度。
三星还提到了 3,200 吨的 IO 速度，超过了三星在 2022 年宣布的 2,400 S 的 V9 QLC 目标。 与SSD相对应，配备3200MT S闪存的4通道主控制器有望实现10GB的顺序读取能力。 也就是说，目前许多 8 通道旗舰 PCIe 50 SSD所能达到的速度，未来主流甚至入门级4通道SSD有望实现。
虽然QLC被认为是NAND闪存的未来，但TLC仍将是高性能闪存的首选。 美光将在下个月的ISSCC上推出2YY层堆叠3D TLC闪存，单芯片容量为1TB，但写入带宽已增加到300MB s。
目前，美光已经推出了232层堆叠3D TLC闪存，IO速度从1600MT S和2000MT S增长到目前的2400MT S。 2yy（未指定具体的层数，应大于 232 层）层 3D TLC 闪存将重点放在写入带宽上。 300MB S的数字可能并不直观，美光也没有透露232层3D TLC的写入带宽，但铠侠BICS6的数据可以作为对比：160MB S。
从ISSC多年来公布的数据来看，并不是每一种产品最终都会按原样量产。 然而，存储密度、IO接口、写入速度的提高无疑是未来闪存技术发展的趋势。