Alpha & Omega Semiconductor Limited （AOS） 最近宣布推出 MOS5 高压 FRD（快速恢复二极管）MOSFET 器件，适用于广泛的电源应用，包括服务器、太阳能逆变器、电动汽车充电和工业电源aok095a60fd跟aotf125a60fdl满足工业应用的高效率和高功率密度要求。
高功率密度服务器和储能应用
aok095a60fd跟aotf125a60fdl额定耐压为 600 V，最大导通电阻分别为 95 m 和 125 m，可有效降低高压开关电源转换应用中的导通损耗。 FRD MOSFET基于AOS专有的MOS5超结高压技术平台，专为易用性和稳健性以及以高开关速度运行的功率密集型应用而设计。
开关电源设计
根据AOS的说法，现代中高功率开关电源和逆变器系统的设计具有更高的效率和功率密度，而不会影响整体解决方案的成本或可靠性。
PSFB转换电路图
PSFB PWM波形
AOS 的高压超结 MOSFET 适用于一系列开关模式功率转换拓扑，包括单相、交错、双升压、CRCM TP PFC、LLC、PSFB、多级 NPC ANPC 和其他拓扑。
电信设备的电源管理应用
在其他应用中，PSFB DC-DC转换拓扑通常用于电信设备电源系统应用，在这些应用中，需要隔离更高电压（400 V或更高）并将其降压至标准的48 V负载点总线电压。
电信系统的配电
电流或电压模式控制方案可用于实现 PSFB 或其他拓扑结构，并使用零电压开关 （ZVS） 和同步整流技术最大限度地提高功率转换效率。
快速恢复二极管MOSFET
在MOSFET结构中，漏极和源极之间形成PN接口，即体二极管。 在正常工作期间，体二极管充当阻断二极管，防止电流从漏极流向源极。 然而，在某些应用中，体二极管将在正向偏置导通电流的工作间隔内工作。
在短路或瞬时导通系统等条件下，MOSFET间歇性地在正向和反向偏置重定向中连续工作。 为了使MOSFET应用具有鲁棒性，体二极管必须能够在正向偏置时导通电流，并在反向偏置时快速阻断电流，并且需要承受快速和间歇性的正向和反向换向电压应力而不会损坏。
MOS5 FRD MOSFET的体二极管经过优化，不仅可以降低反向恢复电荷（QRR），还可以承受更高速度（Di DT）下的正向和反向换向应力。 从产品规格中，我了解到aok095a60fd体二极管可在约 218 ns 内从 19 A 的正向电流 （ISD） 中恢复，典型峰值反向恢复电流 （IRM） 为 185 A，总反向恢复电荷为39 µc。
二极管恢复测试电路和波形
双向电源
除了传统的单向电源拓扑aok095a60fd（TO-247） 和aotf125a60fdl非常适合用于具有双向电源转换的电源拓扑。
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