据《韩国时报》报道，三星目前正在美国开发下一代3D DRAM。 下一代 3D DRAM 开发实验室位于硅谷，隶属于美国设备解决方案部门 （DSA）。
显然，该实验室的目标是开发一种升级的DRAM模型，使三星能够在全球3D DRAM市场占据领导地位——据《韩国时报》报道。
对于那些不熟悉的人来说，“3D DRAM”是指使用“3D”工艺制造的 DRAM。 3D 制造过程的目标是通过将芯片、内存模块等“堆叠”在一起，更好地利用物理硬件约束。 例如，在 CPU 领域，我们有一种叫做“3D 缓存”的东西，它指的是在制造过程中“堆叠”以增加板载内存容量的常规 CPU L3 缓存。 当然，三星早在十多年前就率先推出了用于 SSD 存储的 3D 堆叠 NAND（三星称之为 V-NAND）。
由于台式机CPU上的3D缓存优势已经得到证明，三星对3D DRAM提供的改进的审查似乎很有希望。 《韩国时报》报道了三星在 2023 年 10 月发表的评论，声称 10nm 以下 DRAM 的新结构将允许更大的单芯片容量，可以超过 100 GB。
简而言之，三星在3D DRAM方面的工作可能会极大地提升内存容量。 事实证明，在 CPU 制造中用于增强 L3 缓存的 3D 堆叠是一种在受限工作负载下大幅提高容量和性能的方法。
虽然大多数现代消费类PC对更多DRAM的需求几乎没有受到影响，但三星继续突破极限应该对整个计算市场产生积极影响。 服务器运营商和最高端的发烧友将首先受益，但3D DRAM标准化应该有助于增加高端RAM容量并降低入门级成本，就像PC硬件的大多数重大进步一样。
不过，时间会证明三星的3D DRAM将变得多么成功和占主导地位，以及我们需要等待这些解决方案多长时间。 就目前而言，只要知道三星的硅谷实验室正在努力推动下一代DRAM制造向前发展就足够了。
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