全球最大的存储芯片制造商三星电子公司（Samsung Electronics Corporation）赢得了日本领先公司Preferred Networks Inc.的冠军（PFN）赢得首个2nm节点AI芯片生产合同，击败台积电先进的芯片加工技术。
消息人士周五表示，根据该协议，总部位于韩国的三星将使用其最新的PFN2纳米芯片加工技术来生产AI加速器和其他AI芯片。
一位知情人士表示，PFN自2016年以来一直与台积电合作，但决定在三星的2nm节点上生产下一代AI芯片。
*消息人士称，这笔交易对双方都有利，PFN将获得更新的芯片技术，这将使其在竞争中占据优势，而三星指出，最先进的芯片技术已经赢得了实际客户，在与台积电争夺代工市场的竞争中取得了进展。
PFN 成立于 2014 年，以其在 AI 深度学习开发方面的专业知识而闻名，吸引了丰田、NTT 和日本机器人系统制造商等科技公司的大量投资。
据消息人士透露，PFN已决定放弃台积电，因为三星提供从芯片设计到生产和先进芯片封装的全方位芯片制造服务。 三星**拒绝确认其与PFN的交易。 分析师表示，这笔交易为更多的2nm客户打开了大门，虽然台积电目前拥有超过2nm的客户，但可能对三星有利的逆转为更多大客户与这家韩国芯片制造商站在一起打开了大门。
台积电是晶圆代工芯片制造领域的领导者，从苹果和高通等无晶圆厂芯片设计公司那里窃取了大部分业务。
随着对高性能芯片的需求不断上升，技术进步的竞争非常激烈，尤其是在台积电和三星之间。
在三星之前，这家台湾芯片制造商向苹果和英伟达等客户提供采用其 2nm 技术构建的台积电，目标是在 2025 年开始大规模生产采用 2nm 技术的芯片。
三星还表示，它将在 2025 年开始大规模生产用于移动应用程序的 2 纳米工艺，然后在未来几年内划分其他用途。
三星表示，将在 2026 年评估用于采用先进 2nm 技术的超级计算机和计算机集群的高性能计算 （HPC） 芯片，然后在 2027 年评估汽车芯片。
三星计划到 2027 年开始批量生产更先进的 14 nm 芯片。
芯片制造过程标有数字尺寸标签，该标签大致表示可以封装在芯片上的晶体管电路的厚度。 数字越小，技术越先进。
三星的生产技术基于基于GAA晶体管架构的微处理工艺，而台积电则在鳍效应晶体管（FinFET）结构中使用了不同的技术。
从2nm节点开始，代工水龙头也将采用GAA技术。 我们的技术将在未来五年内超越台积电，“三星负责半导体的设备解决方案部门负责人Kyung Kye-Hyun去年在韩国的一个论坛上表示。
三星力争在2nm技术上超越台积电。
三星电子正在加速与美国台湾台积电和英特尔的竞争，以推出先进的2nm工艺技术，以期在全球晶圆代工市场占据领先地位。 这三家公司之间的竞争是由 OpenAI 的首席执行官 Sam Altman 推动的，他也是生成式 AI 聊天机器人 ChatGPT 的开发者。 这些公司宣布在人工智能半导体技术方面独立，并筹集了930万亿韩元的投资，成为Altman的代工合作伙伴。
焦点在于全球晶圆代工市场第二大三星电子是超越台积电，在2nm竞争中夺得第一名，还是率先获得新一代光刻设备。
市场研究公司 Omdia，2 月 14 日** 今年全球晶圆代工市场规模预计将达到 1264 亿美元，年均增长率为 138% 至 15383亿美元。 预计这种快速增长将受到 5 纳米以下最先进工艺的推动。 去年，5纳米以下工艺的销售额占总销售额的24%8%，预计到 2026 年将飙升至 412%。
三星电子在 3nm 和 2nm 逐环门 （GAA） 技术的开发方面处于领先地位，并计划通过先进的工艺技术扩展其业务。 GAA技术环绕沟道的三个侧面，与传统的FinFET结构相比，增加了栅极面积，克服了由于工艺小型化而导致晶体管性能下降的问题，提高了数据处理速度和功率效率。
三星正在继续稳定3nm GAA工艺的量产，并加快2nm工艺的发展。 台积电计划首次在其2nm工艺中引入GAA技术。 业内推测，三星比台积电更早采用GAA技术，可能在2nm竞争中占据上风。
英特尔将于 2 月 22 日举办晶圆代工论坛，宣布其业务的详细方向，预计Microsoft首席执行官萨蒂亚·纳德拉 （Satya Nadella） 和山姆·阿尔特曼 （Sam Altman） 也将出席。 英特尔计划在今年上半年开始生产其基于GAA的20埃（A）工艺。 英特尔去年收到了ASML的下一代光刻设备，并计划将其应用于2nm工艺，使用20A工艺生产其**处理器（CPU）产品，并向代工厂提供18A工艺，以便在2025年进行大规模生产。 然而，业界普遍认为，由于下一代光刻设备的初始发布，英特尔在遵守时间表方面可能面临挑战。