随着计算机技术的发展，计算模拟和数值计算在物理、化学、生物学、材料和天文学领域发挥着重要作用。 通过计算，复杂的问题解决可以变得更加高效和准确。 近年来，第一性原理计算在研究新材料的结构和物理性质、化学反应的微观机理以及探索材料的基本物理性质方面变得越来越重要。 作为目前最流行的商业软件之一，VASP在材料计算仿真领域获得了广泛的国际认可。 作为VASP的预处理和后处理软件，VASPKIT已被来自100多个国家的研究人员广泛使用。
为了进一步扩大VASPKIT的影响力，提高VASPKIT的使用效率和深入的用户体验，VASPKIT开发团队将与腾讯量子实验室的材料计算与仿真平台TEFS合作，举办首届VASPKIT+VASP软件培训班。无论您是初学者还是经验丰富的研究人员，本次培训都将提供宝贵的实践方法和经验，以支持您在计算材料科学和量子计算领域的进步。
一
培训时间及地点
时间：2024 年 3 月 29 日至 3 月 31 日。
上午9：00-11：30 下午13：30-17：30
位置：腾讯线上会议，请在开课前添加客服微信获取。
二. 二.第二
培训内容：
本次培训将：系统介绍了VASPKIT工具和VASP软件各模块的使用，包括电荷密度和化学键合的计算和分析，介电和光学性能的计算，力学性能的计算，以及能带结构的计算和分析
对于培训的参与者，他们将获得以下好处
1.vaspkit开发团队将免费提供Vaspkit纪念品跟一年的Vaspkit Pro for Business访问权限
2.TEFS团队将提供培训CPU算力支持TEFS平台使用指导和培训的全过程
免费试用 NVIDIA V100 加速 VASP 版本
三
课程安排
培训使用TEFS平台，学员需自备电脑
（1）Tefs和Vaspkit Pro软件动手练习（第1天）。
1.TEFS材料计算平台简介。
2.关于使用TEFS的培训。
3.Vaspkit Pro 安装和初始配置。
4.介绍VASPKIT Pro各模块的功能和实际演示。
5.VASPKIT Pro 自动绘图功能的实际案例。
6.VASPKIT Pro 结构建模操作示例。
二硫化钼（H-MOS2）纳米管。
二硫化钼-磷烯异质结。
(2.1）电荷密度和键相关性计算和分析（第2天）。
1.部分电荷密度计算和后处理。
2.电荷密度差计算和后处理。
3.Bader电荷计算和分析。
4.ELF 计算和 2D ELF 和 1D 轮廓曲线的深入分析。
5.债券订单简介。
6.COHP 和 COBI 计算和深入分析。
含有缝隙缺陷的二硫化钼（H-MOS2）纳米带的电荷差和自旋差密度图。
A、B）二硒化铬（H-CrSe2）单层价带顶部、导带底部的电荷密度等效图，以及（C）微分电荷密度和（C）ELF等效图。
CSPBi3价顶和导带底的能带分解电荷密度，SBN三维电子局域函数ELF和相应的一维ELF分布。
(2.2） 介电和光学性能计算
1.静态介电常数（包括离子和电子贡献分数）和波恩有效电荷计算。
2.激子结合能由经验公式计算。
3.光吸收、反射光谱、折射光谱等
4.剪刀操作员和光吸收曲线的PHS校正。
5.过渡矩阵元素和JDOS处理。
6.理论光电转换效率的计算。
7.深入分析光吸收的一个例子。
晶体硅的吸收光谱、折射率、反射率和消光系数随入射光频率的变化。
石墨烯单层（a，b）和黑磷烯单层（c，d）的光导率和吸收光谱。
(2.3）机械性能的计算：
1.计算机械常数CIJ等，以及各种模数（三种方法）。
2.机械性能的角度相关后处理。
3.介绍应力-应变曲线的计算。
4.通过实例介绍机械性能分析。
三维材料力学性能各向异性的示意图。
二维扭曲相二硫化钼（T'-MOS2）单层杨氏模量和泊松比的各向异性分布。
(3.1）波段结构定义和分类（第3天）。
1.基本波段图和材料分类。
2.自旋偏振带图。
3.元素和轨道投影带图。
4.2D 材质的 3D 条带图。
5.反向折叠带。
二硫化钼 （MOS2） 单层的自旋投影带。
a，b）氯化铋（Biclo）的预计能带和态密度;（c， d） 石墨烯单层的轨道投影带和态密度。
a、b） 二碲化钼 （Mote2） 单层和 （C， D） 碘导石铋 （BIIO） 单层的 3D 和 2D 投影带。
完整4x4二硫化钼单层超胞和硫空位超胞的倒带比较。
(3.2）能带结构分析
1.半导体频段分析。
2.金属带分析。
3.半金属带分析。
4.半导体异质结能带分析。
a） 二硒化铬（H-CrSe2）单层价带和导带的三维能带投影;（b）二维投影图、带和单元投影密度状态图，以及（c）它们的COHP图。
二硒化铬 （H-CrSe2） 单层 Se （A） 和 Cr （B） 的轨道投影带图。
二硒化铬（H-CrSe2）单层轨道键合分析。
空穴的各向异性图，氮化硼（Bn）单层（A，B）和块状硅（Si）晶体（C，D）的电子有效质量数。
铜 （Cu） 和钒 （V） 费米表面的轨道投影。
具有蜂窝笼晶格结构的半金属带图，前者是典型的狄拉克半金属，后者是极化狄拉克半金属或半狄拉克半金属，具有蜂窝笼晶格结构
扭曲相二硫化钼（T'-MOS2）单层Mo（a）和S（B）元素的轨道投影带图。
四
教练
Vaspkit开发团队成员具有丰富的科研和在线培训经验。
王先生Vaspkit软件开发团队负责人和主要开发人员。 王先生是J phys. chem. lett.、phys. rev. b、comput. phys. commun.、adv. funct. mater.等期刊，3篇文章被引用100次以上，1篇文章入选中国最具影响力国际学术100篇（2021年），并牵头开发了自主可控的第一性原理高通量材料物性分析程序VASPKIT，该程序已超过80000行，在材料计算与仿真领域得到广泛认可。 此外，王教授还领导开发了高通量材料建模软件AtomKit。 软件集晶体结构建模、编辑、结构转换等功能于一体，具有30000多行、跨平台操作、界面简洁友好、开箱即用等特点。
唐先生主要从事光电、铁电、压电等性能的模拟与计算。 作为SCI的第一作者或通讯作者 adv.、j. am. chem. soc.、acs. energy lett.、nano lett.、phys. rev.在B等期刊发表文章20余篇，被Google Scholar引用4000余次。 多次线下培训经验。
刘先生主要从事二维材料的计算模拟及其物理性质的解析建模，擅长基于群论的能带建模分析和对称性分析。 在 J 中 phys. chem. lett.、phys. rev. b、phys. chem. chem. phys、j. phys. condens. matter.等期刊发表文章10余篇。 多次线下培训经验。
五
培训费用
六
付款方式
1.请通过银行转账将报名费汇至培训主办方“习爱凯奇科技***账户：”。
账户名称：习艾凯奇科技***
开户行：中国工商银行股份有限公司***习东街分行。
账号： 3700020209200180423
统一社会信用**：91610103MA7C1GU51T
汇款后请务必留言：vaspkit培训课程+姓名+联系方式**，以便及时确认您的汇款，汇款成功后，请扫描或截图汇款收据并通过电子邮件发送到邮箱（vaspkit@gmail.）com)。
注意：成功注册后即可开具发票
客服联系人（报名成功者须加客服微信）：
附言：
作为VASP的预处理和后处理软件，VASPKIT已被来自100多个国家的研究人员广泛使用，包括来自哈佛大学、普林斯顿大学、麻省理工学院、加州大学伯克利分校、剑桥大学、东京大学以及国内多所大学的师生。 该软件每月有2000多次，他每月引用100多次它已被 Nature、Science、Nature Physics、Nature Materials、Nature Chemistry、Nature Photonics、Nature Catalysis、Nature Communications、Science Advances、PRL 和 JACS （Google Scholar） 等期刊引用超过 2,300 次。 Vaspkit**入选2021年中国最具影响力国际学术论文100篇，2018-2022年入选中国物理研究领域被引用次数最多的学者**排名第四。
TEFS平台简介链接：
TEFS平台已更新，机器学习模块已上线！
VASPKIT Pro入驻腾讯TEFS，共同推动计算材料的发展。
atomkit.html
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