ChipSourceTek PES230N10K 采用 TO 252 封装、100V、50A N MOS

ChipSourceTek-PES230N10K 是一款 N 沟道增强型模式功率 MOSFET，具有出色的 RDS（ON） 和低栅极电荷特性。 该MOSFET的深沟槽技术使其在高电压和高电流下表现出色。

ChipSourceTek-PES230N10K启动电压小于2V。

在特性方面，它具有VDS=100V、ID=50A的参数，以及不同栅极电压（VGS）下的低导通电阻。 具体来说，当VGS=10V时，RDS（on）<23M; 当 vgs=4 时在5V时，RDS（ON）<33M。 这些特性使 ChipSourceTek-PES230N10K 在高功率和电流处理能力方面表现出色。

此外，芯源科技PES230N10K还获得了无铅产品认证，符合环保要求。 它采用 TO-252-2L 封装，易于表面贴装，适用于各种应用。

在应用方面，ChipSourcetek-PES230N10K适用于高频开关和同步整流等应用。 这些应用需要高电压和高电流处理能力，以及低导通电阻和低栅极电荷。 ChipSourcetek-PES230N10K能够满足这些需求，并提供高效可靠的开关性能。

此外，chipsourcetek-PES230N10K还具有出色的开关测试电路和开关波形。 这些测试结果表明，ChipSourcetek-PES230N10K在开关过程中表现良好，可以提供稳定的开关性能。

总体而言，ChipSourceTek-PES230N10K是一款高性能、高可靠性的 N 沟道增强型功率 MOSFET。 它具有出色的 RDS（on） 和低栅极充电特性，使其适用于需要高电压和高电流处理能力的广泛应用。 无论是高频开关还是同步整流应用，ChipSourcetek-PES230N10K都能提供高效可靠的开关性能，为电子系统的稳定运行提供保障。