三星开发了低延迟、低功耗的 DRAM，据说其性能优于 DDR5

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三星开发了低延迟、低功耗的 DRAM，据说其性能优于 DDR5

从消息来看，它估计是一个 128 位 DDR 粒子，带宽高达 128GB s。 目前一般是 8 位和 16 位。

三星正在开发一种称为低延迟宽 IO （LLW） DRAM 的新型内存，它有望结合非常高的带宽、低延迟和低功耗。 该公司将其新内存定位为需要在设备上运行大型语言模型（LLM）的设备，尽管这种DRAM可用于各种客户端工作负载。

三星的 LLW DRAM 是一种低功耗内存，具有宽 IO、低延迟和每个模块（或者更确切地说，堆栈）的带宽为 128 GB。 为了说明这个数字，128 位 DDR5-8000 内存子系统可以提供类似的 128 GB s 带宽。 同时，三星 LLW DRAM 的主要特征之一是其 12PJ位的低功耗，但三星没有透露其LLW DRAM在什么数据速率下达到上述功耗。

目前，三星尚未透露有关其LLW DRAM的许多细节，尽管该公司一段时间以来一直在探索具有宽接口的内存，例如GDDR6W。 同时，三星的LLW有可能借鉴GDDR6W，将多个DRAM设备集成到一个封装中，使用扇出晶圆级封装（FOWLP）技术来扩展接口，并将容量、性能和低功耗结合起来。

考虑到三星在 2022 年第二季度对其 GDDR6W 进行了标准化，并计划将其用于 AI、高性能计算加速器和客户端 PC，LLW DRAM 很可能会被定位于其他用途。 鉴于标准的低功耗，我们可以设想具有人工智能功能的边缘计算设备、智能手机、笔记本电脑和汽车应用等应用。

三星很少透露其有前途的技术何时上市，因此我们只能猜测LLW DRAM何时会进入实际设备。 同时，由于三星已经公布了有关该技术预期性能的详细信息，因此其开发可能或多或少已经完成。