ChipSourceTek CST80N03D 是 PDFN3 3 封装，30V，80A N Mos

ChipSourceTek-CST80N03D为BVDSS=30V，RDSON=52M、ID=80A、N沟道快速开关MOSFET采用PDFN3333-8L封装。 作为一款高电池密度沟槽 N 槽 MOSFET，ChipSourcetek-CST80N03D 在大多数同步降压转换器应用中表现出色，具有出色的 RDSON 和栅极电荷特性。 它符合 RoHS 和绿色产品要求，并通过了 100% EAS 保证和全功能可靠性认证。

ChipSourceTek-CST80N03D具有超低栅极电荷，有助于减少能量损耗并加快开关速度。 它还具有优异的CDV DT效应降低特性，可以减少电磁干扰，提高系统稳定性。 此外，ChipSourcetek-CST80N03D采用先进的高细胞密度挖沟技术，实现高细胞密度和低RDSON特性。

ChipSourceTek-CST80N03D的产品概述包括BVDSS、RDSON和ID等关键参数。 BVDSS 为 30V，RDSON 为 5V2m，内径为80A。 此外，该器件采用 PDFN3333-8L 封装。 在引脚配置方面，ChipSourceTek-CST80N03D的引脚排列和封装形式使其易于集成和焊接，进一步提高了其实用性和可靠性。

总体而言，ChipSourceTek-CST80N03D是一款高性能、高可靠性的N沟道快速开关MOSFET，适用于各种需要高效率、低能耗和高稳定性的电子系统。 其出色的性能和可靠性使其成为许多工程师的首选，尤其是在需要高性能和可靠性的应用中。 无论是在消费电子、工业控制、汽车电子还是新能源领域，ChipSourcetek-CST80N03D都能为系统设计人员提供卓越的性能和可靠性保证。