1. 从28nm工艺到3nm工艺的演进：工艺打标半导体技术发展新阶段，过程层面的丰富多维测量。 28nm工艺终结了传统以栅极长度判断工艺进展的方法，转向多维度优化改进的“等效工艺”。 主要晶圆厂通过建筑设计新材料、创新技术等手段提高性能、降低功耗和提高芯片区，开启了评判进程推进的新纪元。
28nm工艺的意义不仅在于传统的栅极长度，更在于更多维度的全面优化和改进。 随着过程的不断发展，数字代数也离现实很远晶体管大门越来越远，引入了“等效过程”的概念。 通过综合绩效来判断过程的推进，以综合绩效来衡量过程的“等效方法”已经转变。 三星跟台积电之7nm将该过程与其他过程进行比较晶圆厂10nm工艺更先进，因为工艺上的差异不在传统工艺中晶体管设计规则，但体现在建筑创新中新材料应用、高级工艺等 工艺上的差异主要体现在整体技术创新和性能上。
10nm、7nm向3nm演进并非易事，需要不断的研究和技术创新。 特别是随着EUV光刻技术的不断改进和材料应用的不断升级，每一次工艺改进都是一项艰巨的努力。 各项核心技术的突破和不断升级，成就了3nm工艺大规模生产是最新的半导体工艺水平的重要证明。 台积电跟三星不断的努力和技术积累，为3nm工艺的实现做出了巨大贡献。
第二中国芯片工业发展与差距：中国半导体制造仍存在差距，需要攀登技术高峰。 核心技术的落后导致了与世界领先厂商的明显差距，这体现在工艺装备、材料技术、产业链协同等水平上。 虽然国产工艺在28nm和14nm方面取得了突破，但距离完全赶超还有很长的路要走。中国需要在设备、材料、人才等方面继续发力，努力缩小与世界领先企业的差距，实现关键技术的自主控制。
中国芯片行业的发展需要摒弃幻想，正确认识工艺发展规律。 我们不应该相信外界的谣言，而应该继续关注过程的本质，关注设备、材料和人才的建设，争取早日达到世界先进水平。 中国需要实现世界产业发展的跨越式发展半导体在行业中占有一席之地。 通过顶层设计，产学研深度合作，政产学融合中国芯片行业正逐步朝着构建自主可控的目标迈进，一切努力最终都会走向成功。
3. 总结：从28nm工艺开始半导体制造业进入了一个新的发展阶段。 工艺的演变不再仅仅以浇口长度为标志，而是朝着完全优化和改进的“等效工艺”发展。 使用10nm，7nm技术水平不断提升到3nm，是各大厂商通过不懈的努力和技术积累推动的半导体工艺的进步。 中国芯片在追赶的过程中，行业需要正确认识现实，继续努力缩小与世界龙头企业的差距，实现自主可控的关键技术。 中国芯片在产业发展的道路上，要摒弃幻想，做好充分准备，勇往直前，最终实现芯片梦想的光荣目的地。