中文名称：-GA2O3薄膜。
纯度：999%
储存：-20冷藏，密封严密，避光。
保存时间：1年。
用途：仅用于科学研究，不用于人体。
Ga2O3薄膜是一种重要的半导体材料，具有宽禁带、高击穿场强和优异的光电性能等特点，在高温、高辐射、高频等极端环境下具有广泛的应用前景。 随着科学技术的不断发展，-Ga2O3薄膜在光电、电子和能源领域的应用越来越广泛。
在光电子领域，-Ga2O3薄膜因其优异的光电性能而备受关注。 它可以有效地吸收和转换光能，因此在太阳能电池、光电探测器和发光二极管中具有广泛的应用。 通过进一步优化-Ga2O3薄膜的制备工艺和性能，可以提高这些器件的性能和稳定性，从而促进光电产业的不断发展。
产品：立方氮化硼（C-BN）薄膜。
V掺杂ZNO薄膜（ZNO：V）。
Zno Bi2O3双层薄膜。
V2O5掺杂ZNO陶瓷多层膜（ZNO-V2O5）。
哈氏合金C-276（镍铬钼固溶合金）薄膜。
上述产品仅用于科学研究，不能用于人类或其他目的。