Na N共掺杂p型ZnO薄膜

中文名称：Na-N共掺杂p型ZNO薄膜。

纯度：999%

储存：-20冷藏，密封严密，避光。

保存时间：1年。

用途：仅用于科学研究，不用于人体。

ZNO作为一种宽禁带半导体材料，具有优异的光学、电学和化学性能，在光电器件、传感器、太阳能电池等领域具有广泛的应用前景。 然而，Zno的p型掺杂一直是研究的难点。 近年来，Na-N共掺杂技术被证明是成功制备高导电性p型Zno薄膜的有效手段。

制备Na-N共掺杂P型ZNO薄膜的主要工艺步骤包括衬底选择、表面预处理、薄膜生长和后处理。 在基板选择方面，常用的基板有玻璃、硅片和陶瓷等，需要根据具体的应用需求进行选择。 表面预处理包括清洁和表面活化，以增强薄膜和基材之间的附着力。 使用物理气相沉积 （PVD）、化学气相沉积 （CVD） 或溶胶-凝胶法等技术生长薄膜。 后处理阶段主要进行退火，以活化掺杂剂并优化薄膜性能。

产品：Fe掺杂TiO2薄膜。

PT膜。 天宁胶片。

GEC薄膜。

GE单层膜。

多晶硅锗薄膜（SIGE）。

上述产品仅用于科学研究，不能用于人类或其他目的。