MPCVD方法在制备金刚石薄膜方面的优越性使其在众多CVD方法中脱颖而出

目前，沉积金刚石薄膜的方法有很多种，为什么MPCVD方法制备金刚石薄膜的方法可以在众多CVD方法中脱颖而出，Watt Sein微波源为大家揭秘：

金刚石因其宽禁带和高击穿电场，以及高载流子迁移率和高导热性而被称为半导体。 然而，在企业使用过程中，需要大量大尺寸、高质量的单晶金刚石，成为制约其应用的主要瓶颈。 因此，在不断的尝试和努力中，MPCVD设备因其微波能量无污染、气体原料相对纯净、无催化剂和杂质掺入等特点，成为众多制备方法中最有前途的技术之一。 MPCVD设备主要是无电极放电，因此等离子体纯净，其微波放电面积集中而不膨胀，因此可以活化原子氢等各种原子基团的产生，并且产生的离子动能大，因此不会蚀刻生成的金刚石，对金刚石起到保护作用。

由于MPCVD 设备微波功率调节连续平缓，使沉积温度能够连续稳定地变化，使设备克服了直流电弧法中电弧的着火和熄灭，对基体和金刚石膜的巨大热冲击导致金刚石膜在DCPLASMA-JetcVDD中容易从基板上脱落， 使金刚石膜不易脱落。 与热线HFCVD相比，MPCVD设备避免了热线法中由于热线蒸发而对金刚石膜的污染，以及热线对强腐蚀性气体非常敏感的缺点，例如一些高浓度的氧气和卤素气体，因此在工艺中可以使用的反应气体种类比HFCVD中的反应气体种类要多得多， 这会造成一些不必要的损失。

与氧-乙炔燃烧火焰法相比，通过对MPCVD沉积反应室结构的结构调整，可以在沉积腔内产生大面积、稳定的等离子体球，有利于金刚石膜大面积均匀沉积MPCVD 设备微波等离子体法制备金刚石薄膜的优越性在所有设备中都非常突出。