芯片制造技术一直是技术领域的焦点之一，近年来，台积电、三星、英特尔等全球顶级晶圆厂纷纷推出采用2nm工艺的芯片制造工艺，引起了广泛关注。 然而，有人声称我们的芯片制造技术太落后了，甚至没有资格参加战争。 事实上，与这些2nm芯片相比，我们的芯片制造技术只落后了2代，只落后了5年。 本文将对此进行详细阐述，以帮助读者更好地了解中国芯片制造技术的实际情况。
目前，全球顶尖的芯片制造工艺水平是3nm，掌握这项技术的厂商只有台积电和三星。 两家公司去年开始量产3nm芯片，今年苹果A17Pro成为首款搭载3nm芯片的手机。 相比之下，中国的芯片制造水平如何？虽然华为没有透露麒麟9000S芯片的纳米数，但根据科技机构的扫描分析，其晶体管密度已经达到了台积电N7工艺的水平，在性能上可以与骁龙888芯片相媲美。 因此，我们可以假设麒麟9000s芯片的工艺应该在7nm左右。
值得注意的是，台积电首次量产7nm芯片是在2024年，当时苹果的A12和华为的麒麟980都是基于这一工艺。 从 2018 年到 2023 年，在短短 5 年时间里，我们从 7nm 迭代到 3nm，中间只有 5nm 一代。 因此，严格来说，我们在芯片制造技术上与世界顶级水平的差距并不遥远，只有2代，只落后5年。
虽然 2nm 工艺可能看起来很先进，但很明显，7nm 工艺已经足以满足全球 95% 以上的芯片制造需求。 目前，只有少数芯片，如手机芯片和AI芯片，会采用5nm或3nm工艺，而这类芯片仅占芯片总数的不到5%。 也就是说，在7nm工艺下，95%的芯片是完全足够的。 因此，我们的芯片制造技术已经在迎头赶上，没有必要太恐慌。
说到国产芯片，很多人会觉得我们的技术已经落后了很长一段时间。 但事实并非如此，我们与世界顶级芯片制造工艺水平只有一点点差距，只有2代，大约5年。 这足以说明我们的芯片制造技术一直走在时代的前列。 我们有很多值得骄傲的成就，比如麒麟9000S芯片的晶体管密度达到了台积电N7制程的水平，同时在性能上也不逊色于骁龙888芯片。 这充分展示了国产芯片制造技术的实力和潜力。
对于中国芯片制造技术的发展，我们应该充满信心。 尽管面对顶级晶圆厂的竞争，我们还有很多需要改进和学习的地方，但我们在追赶的道路上取得了相当大的进展。 芯片制造技术的发展是一个长期而复杂的过程，需要不断的投入和努力，而这正是我们一直在做的事情。 相信随着时间的流逝，中国的芯片制造技术必将赶上甚至领先世界，成为世界芯片制造业的重要力量。
虽然台积电、三星等顶级晶圆厂都推出了2nm芯片制造工艺，但与此相比，我们的芯片制造技术只相隔了2代，大约5年。 目前，全球95%以上的芯片制造需求可以通过7nm工艺来满足，只有少数芯片使用5nm和3nm工艺。 因此，我们的芯片制造技术也不甘落后。
我们应该对我国的芯片制造技术充满信心。 虽然与顶级晶圆厂相比，我们仍有差距需要填补，但我们已经在晶体管密度和性能方面取得了令人印象深刻的成果。 展望未来，我们应该继续加大力度，投入更多的资源和精力，推动中国芯片制造技术的创新发展。 随着时间的流逝，我们有理由相信，中国的芯片制造技术将赶上并超越世界顶级水平，成为世界芯片制造业的中坚力量。