比利时微电子研究中心（IMEC）与日本化学工业和极紫外（EUV）掩膜的领先制造商三井化学今天宣布建立战略合作伙伴关系，将用于极紫外（EUV）显微成像应用的碳纳米管（CNT）*薄膜技术商业化。
据imec称，三井化学将把imec基于碳纳米管的创新掩膜技术整合到三井化学一流的薄膜技术中，目标是达到可以全面投产的规格，预计将在2025-2024年推出高功率极紫外（EUV）系统。 签约仪式于2024年日本半导体展期间在东京举行。
imec强调，此次战略合作旨在共同开发**薄膜和极紫外（EUV）掩膜，由imec进行技术咨询和极紫外（EUV）*机器测试，并由三井化学进行商业化生产。 这些光罩薄膜旨在保护光罩免受极紫外光 （EUV）* 的污染，提供高极紫外 （EUV） 透射率 （94%） 和极低的极紫外 （EUV） 反射率，影响最小**，所有这些都是先进半导体制造实现高良率和高良率所需的关键特性。 这些碳纳米管（CNT）掩模甚至可以承受超过1kW范围内的极紫外（EUV）输出功率，为EUV光源技术（600W以上）的新时代的发展做出了贡献。 在大规模生产中引入极紫外 （EUV） 显微成像技术的制造商对这些功能感兴趣。 因此，双方将共同开发商用碳纳米管（CNT）掩膜技术，以满足市场需求。
imec先进图案化工艺和材料研究项目高级副总裁Steven Scheer表示，imec在协助半导体生态系统开发下一代显微技术方面拥有多年经验。 自 2015 年以来，我们与整个产业链的合作伙伴建立了合作伙伴关系，为先进的极紫外 （EUV） 显微成像技术开发碳纳米管 （CNT） 掩模罩的创新设计。 我们相信，我们对碳纳米管（CNT）薄膜的测量、表征和性能的深入了解将加速三井化学的产品开发。 通过此次合作，我们希望为极紫外（EUV）显微技术的新时代推进碳纳米管（CNT）掩膜的生产。 ”
IMEC进一步指出，在这一微影技术发展路线图下，新型十字线膜预计将于2025-2024年推出，届时新一代033数值孔径（NA）微观系统还将能够支持输出功率超过600W的光源。 这个发展过程与2nm以下逻辑芯片技术的引入有关。
标题图片**：由imec提供）。