最近兴安科技推出新能源领域的重量级人物sic mosfet新器件产品（N2M120007PP0）已实现业界领先的超低导通电阻规格：1200V 7m
众所周知，电驱动系统是电动汽车最核心的部分。 在电机驱动系统中，MOSFET通常用作电机逆变器的关键部件，将直流电转换为交流电以驱动三相电机。 在这个过程中，从电能到机械能的转换效率，即电驱动系统的效率，是极其重要的。
与传统的硅基MOSFET相比，SiC MOSFET受益于SiC材料的加持，具有更低的导通电阻、更低的开关损耗、更高的击穿电场强度和高温稳定性，可以使电机驱动系统具有更高的效率、更高的功率密度和更长的使用寿命。
目前，许多电动汽车已经开始向800V高压平台迁移，这需要800V-1200V的电源组件来支持。 更高效的1200V SiC MOSFET是电动汽车800V高压平台必不可少的组件。
对于SiC MOSFET来说，导通电阻是一个重要的性能指标，反映了器件在导通状态下的损耗和效率。 在1200V工作电压下，SiC MOSFET通常具有较低的导通电阻，从而实现更高的功率密度和更低的能量损耗。
虽然国际上一些SiC MOSFET厂商的导通电阻可以控制在1200V 3M以下，但国内大部分SIC MOSFET厂商由于起步较晚，仍然在1200V 10M以上。 显然，兴安的1200V 7M SIC MOSFET芯片已经达到了行业领先水平。
据介绍，这款新产品是基于汽车级工艺平台采用先进的结构和制造工艺兼容18V栅极电压驱动器和TO-247-4L PLUS封装，有效提升了国产碳化硅器件的性能。 新商品投放新能源汽车主驱动力等急需高电压、大电流、低损耗的功率半导体开关应用，助力新能源领域的快速升级，为实现国家“碳达峰、碳中和”目标贡献力量。
兴安新品使用精良to-247-4l plus该封装具有开尔文源极点和低热阻等优点，可显著降低开关损耗，提高器件的散热性能。
新产品的工作电流可达300a以上具有正温度系数，可以轻松实现大电流并联。 同时，兴安新产品的漏电流极低（<1μa@1200v），具有优越的高压阻断特性。
N2M120007PP0器件的部分静态特性。
新产品完成了一系列的动态测试和可靠性评估htrb、phtgb、nhtgb、h3trb等），不同条件下的正常动态切换。
N2M120007PP0器件在800V、200A时的开关波形。
除了TO-247-4L Plus等单管封装外，还可以封装芯深的1200V 7M SIC MOSFET芯片定制电源模块便于在汽车主传动等新能源领域广泛实现应用。
兴安科技专注于第三代半导体碳化硅功率器件和功率模块的技术突破创新和产品研发生产，致力于成为国内领先、具有国际影响力的功率半导体变革引领者。 新安科技从器件到模组再到应用的全流程都具备高度定制化的技术能力，能够匹配客户在各个领域的需求，帮助客户快速建立差异化的竞争优势。
兴安科技一直650v、1200v、1700v数十种碳化硅器件和模块已在等电压平台上完成量产。 其中，1200V SiC MOSFET产品有：80mmmω直到7mω等导通电阻规格，模块产品均有标杆easypack、62mm、econodual和其他包装形式。 1200V 80M SIC MOSFET 已通过aec-q101汽车级可靠性认证也标志着在该工艺平台上开发的多款低导通电阻器件已达到汽车级可靠性水平。
编辑：新知勋-流氓剑。