SiC器件制造工艺与硅基器件基本相似，包括涂胶、显影、光刻、减薄、退火、掺杂、蚀刻、氧化、清洗等前端工艺。 但是，由于碳化硅材料的特性不同，制造商在晶圆制造过程中需要特定的设备和开发特定的工艺，这与过去的硅工艺设备和工艺无法完全通用，因此目前的SiC晶圆制造能力供不应求。
SIC晶圆制造特定工艺与SI工艺之间的一些差异主要在于光刻对准。 由于碳化硅晶圆是透明的，CD-SEM和计量测量很复杂，因此很难对准光刻和从器件中转移工件。
蚀刻工艺，由于碳化硅在化学溶剂中是惰性的，因此使用相同的光进行干法蚀刻。 掩膜材料、掩模蚀刻的选择、气体混合物、侧壁坡度的控制、蚀刻速率、侧壁粗糙度等，都需要重新开发。
由于SiC器件的特性，SiC的扩散温度远高于硅，传统的热扩散在碳化硅中不切实际，高温离子注入只能用于掺杂。 超高温退火工艺。
高温离子注入会破坏材料本身的晶格结构，因此需要在惰性气体中高温退火以恢复组织，通常在高达1600-1700度的退火温度下，使SiC表面重结晶并电活化掺杂剂。
高质量的栅极氧化层生长。 SiO界面质量差会降低MOSFET反转层的迁移率，导致阈值电压不稳定，因此需要开发钝化技术来提高SiC SiOxide界面质量。
碳化硅晶圆制造的具体工艺带来了对特定设备的需求，主要包括高温离子注入机、高温退火炉、碳化硅减薄设备、背面金属沉积设备、背面激光退火设备、碳化硅衬底和外延片表面缺陷检测和计量。 其中，是否有高温离子注入机是衡量碳化硅生产线的重要标准之一。 半导体
相似文章
碳化硅原料的制备。碳化硅原料的制备方法很多，简要说明如下 碳热还原。在这种方法中，金属氧化物或非金属氧化物与碳反应形成碳化物。气相沉积。在这种方法中，金属卤化物 碳氢化合物和氢被分解并相互反应形成SiC。这种方法可以制备高纯度的SiC粉末，也可以生产隔膜。自传播高温合成法 SHS法 它是近年来发展起...
碳化硅衬底是由碳和硅元素组成的化合物半导体材料，是制造高温 高频 大功率 高压器件的理想材料。碳化硅具有显著的性能优势 禁带宽 击穿场强高 导热系数高 饱和电子漂移速率快，在耐高压 耐高温 高频等方面具有滚动优势，同时可实现高耐压 低导通电阻 高频。由碳化硅制成的功率器件应用广泛。由碳化硅材料制成的...
碳化硅负极材料的制造过程涉及几项关键技术，以下是一些重要方面 .碳化硅粉的合成 碳化硅粉的合成是制造碳化硅负极材料的第一步。通常采用化学气相沉积 CVD 热解 溶胶 凝胶等方法合成纯度高 粒径均匀的碳化硅粉末。.粉末预处理 为了提高碳化硅粉末的分散性和表面活性，通常需要对粉末进行预处理，如球磨 喷雾...
碳化硅陶瓷是一种性能优异的特殊陶瓷材料，广泛应用于高温 高压 耐腐蚀等恶劣环境下的工业领域。然而，由于其特殊的结构和性能，碳化硅陶瓷相对难以加工。骏杰陶瓷下面将介绍碳化硅陶瓷的加工难度及其原因，以及一些克服困难的方法。首先，碳化硅陶瓷的高硬度是其加工难度增加的主要原因之一。碳化硅陶瓷具有极高的硬度，...
国内基板业务主要发货方为天科和达 山西硕科 三安集成 河北通光，山东天岳市场影响力高，擅长半绝缘基板导电基板应用范围广，射频应用场景窄 年，我国市场竞争格局逐步增强，三安一体化年产量达到 万件，天科年产量达到 万件，山西硕科年产量达到 万件。.有能力在国内开展基板业务的主要发货人是天科和达，除天科和...