（1）碳化硅原料的制备。
碳化硅原料的制备方法很多，简要说明如下：
碳热还原。
在这种方法中，金属氧化物或非金属氧化物与碳反应形成碳化物。
气相沉积。
在这种方法中，金属卤化物、碳氢化合物和氢被分解并相互反应形成SiC。 这种方法可以制备高纯度的SiC粉末，也可以生产隔膜。
自传播高温合成法（SHS法）。
它是近年来发展起来的一种制备难熔化合物的方法。 SHS法是一种化学方法，但一般化学方法依靠外部热源来维持反应，而SHS法则依靠反应过程中释放的热量来维持反应。 SHS法的优点是：节能、工艺简单、产品纯度高。
2）成型。碳化硅陶瓷可以通过传统的成型方法成型，但浆料浇注和注射成型方法可用于复杂的形状。
3）烧制。碳化硅陶瓷难以烧结，通常采用以下方式制造：
常压烧结法。
实际情况表明，如果采用高纯超细粉体，选择合理的工艺、相组成和适当的添加剂，可以通过常压烧结获得高密度碳化硅产品。 例如，使用亚微米级 - SiC粉末，其中使用氧含量。
0.2% 并加 05% 硼和 10%碳，在惰性气氛或真空下在1950-2100的温度下烧制，在大气压下，也可以得到几乎完全致密化的碳化硅产品。
反应烧结法。
这种方法也称为自结合法或二氧化硅浸润法。 它与-SiC和石墨粉按一定比例混合压制成坯体，加热到1650°C左右，通过液相或气相将Si渗入坯体，使其与石墨反应生成-SiC，同时将原有的-SiC颗粒结合，达到致密化。 这种烧结没有任何尺寸变化，但烧结体含有8%的10%游离硅，因此使用温度受到限制。
反应烧结通常在真空下通过石墨坩埚的感应加热进行，设备采用反应烧结炉完成。
热压烧结法。
将SiC粉末加入添加剂中，置于石墨模具中，在1950和200MPa的压力下烧结，得到理论密度接近的碳化硅产品。 常用的助剂有Al2O3、AIN、BN、B4C、B、B C等，其中硼是最有效的助剂。 实践表明，原料的细度、相、含碳量、压力、温度、添加剂的种类和含量对烧结有很大影响。
受精。 该方法以制造碳化硅纤维的原料聚碳酸酯硅烷为粘结剂，加入到碳化硅粉末中烧结成多孔碳化硅制品，然后置于聚碳酸酯硅烷中浸渍，再在1000°C下烧结以增加密度，如此多次重复，堆积密度可达到理论密度的80%95%这种方法最大的特点是可以在较低的温度下获得高纯度、高强度的碳化硅材料，可以制造各种复杂形状的产品。
重结晶法。 这种方法又称后烧结法，是一种新开发的烧结方法。 这是对SiC进行反应烧结和常压烧结，然后在高温下（>2000）进行再结晶和烧结，最终得到致密的烧结体。