突破封锁！长信存储发布适用于3nm芯片的GAA技术相关论文

IT Home 12 月 15 日报道，DRAM 芯片制造商长信存储 （CXMT） 近日参加了在旧金山举行的第 69 届 IEEE 国际电子器件会议 （IEDM），并发表了一篇展示了用于尖端 3nm 芯片的全栅极 （GAA） 技术。

注：专利中提到GAA技术适用于3nm以下的芯片，包括5nm、7nm、10nm和14nm不过，这并不意味着长信存储目前具备制造3nm工艺的能力。

据《南华早报》报道，虽然长信存储尚未发布相关样品，但此次**的发布引发了行业分析师对公司下一代存储器的广泛关注，表明长信面对美国的封锁，不断加强自主芯片开发能力。

华邦电子存储芯片专家陈磊表示，长鑫的进步令人印象深刻，因为它代表了该公司的持续追赶和缩小技术差距。

长鑫存储发表声明称本**描述的是与DRAM结构相关的基础研究和4F2设计的可行性，与长信存储目前的生产工艺无关，这意味着设计纸远非适销对路的产品。

据长信存储官网消息，长信存储推出了最新推出的LPDDR5 DRAM存储芯片，是国内首个推出自主研发生产的LPDDR5产品的品牌，实现了在国内市场的突破，使长信存储在移动终端市场的产品布局更加多元化。

长信存储的LPDDR5系列产品包括12GB LPDDR5芯片、POP封装的12GB LPDDR5芯片和DSC封装的6GB LPDDR5芯片。 12GB LPDDR5芯片已经在小米、传音等国内主流手机厂商的机型上进行了验证。 LPDDR5是长信存储面向中高端移动设备市场推出的一款产品，其市场化将进一步完善长信存储DRAM芯片的产品布局。