当DDR采用菊花链拓扑结构时，由于信号传输线较长，通常需要在DDR的末端增加一个端子匹配电阻，并且有很多端接方式，但都是为了解决信号反射的问题，通常为了消除信号的反射，可以在信号的源头或端子处解决， 消除源头反射的方法是使用电阻串联方式，消除端子处反射的方法是使用电阻并联（端接有很多种），今天，让我们看一下使用菊花链拓扑时，端部和非匹配电阻之间的信号质量差异有多大。
信号端接匹配电阻。
这一次，我们将从这块内存模块PCB板中提取地址线拓扑，用SIGXPlorer软件观察添加匹配电阻和不添加匹配电阻时信号的传输质量，本例为双通道DDR3 1对8前后菊花链拓扑结构，我们整理后的拓扑结构由软件提取，如下图所示
信号从驱动端U21发射，通过它的DDR粒子依次是U14和U5 U6和U15 U7和U16 U8和U17，最后连接到39OHM端子匹配电阻RN106，我们提取其中一条地址线A3，激励信号为533MHz，并观察其眼图的结果。
根据菊花链的信号流向，我们可以区分出最左边的黄色信号是信号的驱动端，右边的信号是8个DDR3粒子的信号。
增加终端电阻后，最靠近驱动端的两个DDR粒子和靠近匹配电阻的两个DDR粒子的信号质量会进行比较，靠近匹配电阻的两个DDR粒子的信号质量较差，过冲和下冲更严重。 但是，信号质量是可以接受的，不存在低于VIH和VIL的情况。
上图显示了没有终端电阻的信号眼图结果，我们可以看到信号的眼图宽度和眼图高度都很窄，信号的vih和vil在越线后保持了很短的时间，信号质量较差，我们观察驱动端附近两个DDR粒子的眼图结果和眼图结果再说到最后两个DDR粒子，我们会发现，当不加终端电阻时，眼图结果相反，驱动端附近的两个DDR粒子的质量很差，眼宽和眼高都很窄，但是最远端的两个DDR粒子的质量会好很多， 虽然也有明显的上冲和下冲，但眼宽和眼高都比较清晰。
我们可以分析上面的**结果，使用菊花链拓扑时，需要添加一个终端电阻，端接电阻有非常明显的改善效果，但是，需要注意的是，终端电阻必须与传输线的阻抗相匹配，才能达到最佳效果。
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