产品概述:
OTF-1200X-IN-HPCVD 是一款 4 区管式炉,可在炉管内移动(由步进电机控制),所有电气元件均通过 UL met CSA 认证。
炉管外径50mm,设备最高工作温度1200°C,各温区长度100mml,各温区由独立的温控系统控制,可设置50个升温和降温程序,控温精度+-1。
样品台或坩埚在炉管中的位置和温度通过触摸屏数字控制器进行控制。
该设备可在各种气氛中进行快速热处理,例如混合物理化学沉积 (HPCVD)、快速热蒸发 (RTE) 和水平布里奇曼晶体生长 (HDC),用于下一代晶体研究。
产品特点:炉膛配有步进电机,通过触摸屏数字控制器将样品台或坩埚移动到炉管内。
最高温度可达1200°C。
双层壳体结构,带风冷系统,可有效降低壳体表面温度。
内炉表面涂有美国进口高温氧化铝涂层,可提高设备的加热效率,延长仪器使用寿命。
基本参数:最高温度:1200°C(30min) 工作温度:1100°C • 推荐升温速率:10min • 加热区长度:总长400mm,四个加热区,每个加热区长度100mm • 加热元件:掺钼铁铬铝合金 • 电压:220V • 最大功率为:35KW•75mTorr温控系统可通过机械泵达到:
温度由PID调节,可设置50级升温降温程序 • 温控仪表过热、断耦保护 • 仪表控温精度:+-1 • 热电偶型号:K型。
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