光刻机是芯片制造过程中不可缺少的设备之一。 根据工艺和光源波长的不同，光刻机可分为干式DUV光刻机和浸没式DUV光刻机，以及更高级别的EUV光刻机。 干式DUV光刻机采用波长为193nm的深紫外光源，适用于制造130nm至65nm的芯片，而浸没式DUV光刻机通过水折射后将其波长变为134nm，适用于制造65nm至7nm的芯片。 EUV光刻机使用13极紫外光源的5nm波长可以制作5nm及以下的超细芯片。 从这个规律可以发现，光刻机精度的提高与光源等因素的提高密切相关。 光源的波长越小，精度越高，要制造的芯片工艺越小。 但是，到 13在波长为5nm的EUV光刻之后，很难进一步降低光源的波长。 继续降低波长会导致光损失增加，最终光刻机将无法正常进行。 如果增加光能来补偿光损失，就需要增加反射镜的数量，扩大光源系统，这将导致光刻机的成本和体积大幅增加，使其无法生产和运输。 因此，除了光源波长的提高外，光刻机的分辨率可以从另外两个方面提高，即增加数值孔径和降低光刻工艺系数。
数值孔径 （NA） 表示光刻机系统可以收集和聚焦的光量。 随着ASML光刻机的发展，其数值孔径不断增大，从最初的025 比 033。据ASML称，其下一代EUV光刻机的数值孔径将为055。然而，ASML也暗示，这很可能是数值孔径的极限，达到055岁以后，进一步的提升变得非常困难。 另一个关键因素是光刻工艺因素，它已经突破了0的理论极限25。不过，ASML联席总裁表示，进一步的突破需要所有合作伙伴的共同努力，而ASML本身并不确定是否能够实现这一目标。
近日，ASML宣布联席总裁Wennink和Van den Brink将于明年4月退休。 在这两个人退休后，ASML的未来走向令人担忧。 看来，ASML的EUV光刻机已经走到了尽头，面临着巨大的挑战。
然而，在我们考虑ASML的未来之前，我们可以回顾一下光刻技术的发展。 自20世纪60年代以来，光刻已成为半导体制造的重要组成部分。 利用光刻光源显影光刻胶，然后得到显微的芯片图案。 随着技术的发展和芯片制造工艺的进步，光刻机也在不断发展和完善。 从最初的紫外光到深紫外光，再到极紫外光，光源的波长不断减小，为制造更小、更高性能的芯片开辟了可能性。
然而，随着光刻技术的突破，光源的波长已经到了极限，进一步降低波长将面临巨大的技术和物理挑战。 光源越小，光的衍射效应越明显，光的透射率会受到限制，从而限制了光刻机分辨率的提高。 因此，要想突破当前光刻机技术的瓶颈，就必须在其他方面进行改进和创新。
除了提高光源波长外，增加数值孔径和降低光刻工艺因子也是提高光刻机分辨率的重要手段。 数值孔径的增加可以提高系统的光收集和聚焦能力，从而提高光刻机的分辨率。 光刻工艺因子的降低，是通过采用更先进的分辨率技术和光学校正等手段，改善光刻图案在工艺中的变形和形状畸变，从而提高芯片图像和细节性能。 然而，这些改进并非易事，需要众多技术人员的努力和创新，以及与其他合作伙伴的密切合作。
回顾ASML的历史，可以看出，该公司在光刻技术和设备领域取得了令人瞩目的成就。 其EUV光刻机的推出，无疑是技术创新的里程碑。 然而，如前所述，EUV光刻机面临着波长限制的挑战。 目前，ASML的EUV光刻机在光源波长、数值孔径和光刻工艺因子方面已达到相对极限。 虽然这并不代表完全的技术停滞，但这确实意味着未来的改进空间将更小。
此外，重要的是要认识到光刻并不是芯片制造的唯一关键技术。 在整个芯片制造过程中，还涉及到许多环节和过程，如摩尔定律的变化、新材料、新工艺的引入等。 因此，光刻技术的进步需要与其他关键技术的发展相协调、协同推进。
未来，ASML将面临如何突破当前技术瓶颈，推动光刻机技术进一步发展的重要任务。 虽然看似路走到了尽头，但科技创新的潜力和惊喜却不容忽视。 也许在不久的将来，会出现新的突破，为光刻技术带来新的机遇和可能性。
综上所述，ASML的EUV光刻机面临波长限制的挑战，但仍有可能通过进一步增加数值孔径、提高光刻工艺因子等创新来突破当前的技术限制。 尽管ASML的两位联席总裁即将退休，但这并不意味着公司的增长将停滞不前。 只要我们对技术和市场保持敏锐的理解，ASML有望继续在光刻机技术上发挥引领作用，推动半导体行业的进步和发展。