美心再次抛弃EUV，ASML皱眉，中国市场缺一不可。
日前有消息传出，英特尔在没有技术进步的情况下研发的EUVDSA光刻芯片制造工艺已经达到了14纳米，这又排除了一家EUV光刻芯片公司，这对一向符合美国要求的ASML来说无疑是一大打击。
首先，芯片公司一直在开发绕过EUV光刻机的技术。
率先成功研发出无EUV光刻技术的无疑是日本佳能，佳能的无EUV光刻纳米压印技术（NIL）已经突破了10纳米，有望最终达到5纳米工艺，已被日本装甲商采用。
当佳能、尼康等日本光刻机主要研发干式光刻机时，ASML通过与台积电合作开发浸没式光刻机，迅速将其挤出，导致日本光刻机行业迅速衰落。ASML在美国开发EUV光刻机后，日本光刻机行业彻底衰落，在技术上无法与ASML竞争，于是佳能选择了不需要NIL技术的EUV光刻机来寻求生存空间。
第二种是美国芯片公司美光，美光开发的1工艺不需要EUV光刻，而美光开发的1工艺是利用现有的DUV光刻技术，进一步提高芯片的性能，降低生产成本，毕竟EUV光刻的**至少是DUV光刻的三倍， 并且生产所需的材料和其他材料的成本也较高。
如今，英特尔排在第三位，英特尔研发和DSA主要考虑生产成本，英特尔不再是过去的辉煌，AMD基于ZEN架构，仍在努力征服台式PC市场，自2024年以来首次超越英特尔。 服务器芯片是英特尔的主要利润**，这直接导致了英特尔连续第三个季度的亏损。
为了降低成本，现在可以说英特尔采取了多种方式，从去年以来已经裁员了10000多人，现在发展DSA技术无疑是为了进一步降低生产成本，避免购买更多的EUV光刻机，利用DSA技术进一步提高芯片性能。
其次，ASML有遗憾。
近年来，ASML可以说是听了美国的话，美国从2024年开始要求ASML不要去中国芯片公司**EUV光刻机，从去年下半年到美国要求ASML不要去中国**14nm以下的DUV光刻机，到前段时间计划进一步封锁ASML**28nm以下的DUV光刻机， ASML已经基本遵守了，ASML在很大程度上已经遵守了。
由于符合美国的要求，ASML在中国市场的收入份额从2024年第一季度的30%迅速下降到10%左右，而ASML去年的业绩也有所提升，这让ASML高管表示，即使失去中国市场也不会影响到它。
然而，随着中国芯片自给率的不断提高，芯片采购量持续下滑，从去年以来，中国减少了多达1500亿片的芯片进口，这已经开始对全球芯片市场产生冲击，美国大部分芯片公司都经历了业绩下滑， 美国芯片性能的下滑导致芯片订单减少，甚至要求台积电减少晶圆代工**，这导致台积电降低芯片产能，自然不再大规模采购光刻机，最终会对ASML产生影响。
美光和英特尔这两家连续在美国的芯片制造商计划绕过EUV光刻技术，这将对ASML产生更大的影响。 EUV光刻机占ASML利润的大部分**，因此美国芯片制造商将减少EUV光刻机的采购量，使ASML面临压力。 对于ASML的光刻业务来说，这种情况可谓是大好局面。
ASML第二季度财报反映了ASML的其他考虑，其财报显示，中国光刻机二季度销量达到27台，而上一季度仅为8台，增长超过2倍，可见ASML利用前段时间光刻机实施的窗口期，对中国大规模销售实施更严格的出口限制。
显然，与美国芯片行业作对的ASML有自己的想法，那就是不能再完全听从美国的指令，而必须考虑到公司的生存，所以趁机积极走向中国第一台光刻机，毕竟对于企业来说，利益是第一考虑， 这也说明，中国市场对ASML的重要性不但没有增加，反而下降了。