国信思辰2Mbit FRAM PB85RS2MC工业级环境下工作，兼容FM25V20A

FRAM是一种非易失性存储器，具有高读写耐久性和快速写入特性，因此在汽车和工业领域有着广泛的应用。

在汽车领域，FRAM可用于存储来自各种传感器的数据，例如车载信息娱乐系统中的GPS，并记录安全气囊数据在电池管理系统中记录电芯的电压、温度、电流等数据，监控电池的短期和长期性能状态胎压实时记录在胎压监测系统中。 此外，FRAM还可用于新能源汽车的电池管理系统BMS。

在工业领域，FRAM可用于各种需要高耐久性、高读写速度和低功耗的应用，如仪表、医疗设备、呼吸机、汽车电子和游戏机。

国芯思辰的国内FRAM核心技术是铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元，无需电池即可保存数据，因为存储器可以同时具备RAM和ROM性能，目前认为未来可能会成为取代各种存储器件的超级存储器。

与EEPROM相比，PB85RS2MC具有读写速度快（高达100万次）、写寿命长、写能耗低等优点。 它的工作电压范围为 27V 至 36V，最低待机功耗仅为9微安，可在低电流下瞬间保存数据，确保系统信息安全。

PB85RS2MC性能介绍：

接口类型：SPI接口

工作频率：25 MHz;

保留数据： 10 年 @ 85 （200 年 @ 25 ）;

高速读取功能：支持40MHz高速读取命令;

工作环境温度范围：-40 至 85 ;

外形尺寸：8 引脚 SOP 封装，符合 RoHS 标准

性能与MB85RS2MT（富士通）和FM25V20A（赛普拉斯）兼容。

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