美国瞄准三星、SK海力士和台积电，以压制中国芯片。
去年10月，美国对中国芯片开放了史上最严禁令，意在**中国14nm逻辑芯片制造能力、18nm DRAM制造能力和128层NAND闪存。
但后来事情脱离了美国的控制，常村是世界上第一个量产232层NAND闪存的公司，华为也有麒麟9000S。
于是，一年后的今年10月，美国对中国芯片的禁令再次更新，这一次禁止销售许多AI芯片，并勒索了无数中国芯片公司，封锁半导体设备并再次更新。
特别是光刻机去年的DCO数字不到15、调整后小于2个4。因此，原来的浸没式光刻机NXT：1980DI，因为DCO值为16、我现在卖不出去。
我们知道浸没式光刻机经过多次后至少可以支持7nm芯片，而美国对此很担心，所以干脆禁止了所有浸没式光刻机。
不过，美国有三个例外，分别是三星、SK海力士、台积电，它们在中国大陆建厂，不受禁令限制，想买什么就买什么，想买什么高端设备。
其中，三星和SK海力士对豁免没有限制，根据现行规定，任何设备都可以随时购买。 而台积电暂时只有一年的豁免期，也就是在前一年10月之前，想买什么就可以买什么，明年10月之后怎么办，暂时还不清楚，说不定还会继续豁免，谁知道呢。
美国豁免这三家公司的原因其实很简单，就是希望这三家公司充当美国的杀手锏，在中国大陆境内打压中国核心。
在中国，三星和SK海力士主要生产DRAM存储器和NAND闪存，产量非常大。
目前，我国本土企业DRAM和NAND生产受到冲击，生产高端化难度大，产能不足，设备有限，发展有限。 三星和SK海力士随便扩产，随意购买设备，任其快速发展，自然挤出了中国本土企业的生存空间和市场，而美国则达到了打压的目的。
在芯片制造领域，逻辑是一样的。 如果浸没式光刻机被阻塞，那么浸没式光刻机、EUV光刻机和14nm工艺的缺失可能是一个障碍。
那么台积电可以随意扩产，随意购买设备，随意改进工艺，那么也会挤压中国本土芯片制造企业的生存空间，这也将达到美国的目标。
由此可见，如果想要真正取得突破，不再畏惧美国的脖子，最终走上独立自主的道路，实现第一链的自主性，只要依靠国外装备，就可能被美国以各种方式掐住， 你觉得怎么样？