1.090,000,2纳米！ASML宣布，这家美国芯片巨头采取了行动。
任正非说，我们不是在设计世界上最好的芯片，但国内没有一家公司能做到。 正如任正非所说，我们拥有一大批华为海思等优秀的芯片设计公司，中芯国际也拥有世界一流的芯片制造工艺技术，但由于美国的阻挠，国内企业买不到最前沿的芯片制造EUV光刻机，直接导致了国产芯片的落后， 让美国多了一个打压华为等国内科技公司"**"！".
今年8月，华为麒麟9000S芯片问世，性能媲美高通骁龙8芯片，标志着中国具备了制造7纳米芯片的能力，有效推动了国内企业因美国芯片禁运而面临的发展压力。 在华为 Mate60 系列中成为"现象的"产品使用后，有奇怪的声音"7nm芯片，只要优化好，性能绝对不比3nm和5nm芯片差"。半导体行业的朋友有一定的了解，知道这种说法无非是自欺欺人。
芯片的空间是有限的，如果要提高芯片的性能，必须在有限的密度内增加晶体管的密度，而芯片的制造工艺直接决定了芯片晶体管的密度，同样大小的硅片，3nm芯片的晶体管密度是7nm芯片的数百倍， 而性能也不知道7nm芯片被甩了多少条街。因此，对于中芯国际这样的国家半导体企业来说，改进芯片制造工艺是非常迫切的。 然而，让大家没想到的是，刚刚成功量产疑似7nm芯片的ASML，竟然有一些传闻"性取向"消息。
据国外报道，ASML明年将推出2NMEUV光刻机，产能为10台。 值得一提的是，仅英特尔就生产了6台2NMEUV光刻机。 近年来，美国一直在努力推动本土芯片制造的发展，试图摆脱对台积电、三星和英特尔的依赖，寄予厚望。 如今，英特尔已经拥有6台2NMEUV光刻机，很有可能冲击台积电和三星，实现高端芯片制造在美国的国产化，降低被扼杀的风险。
对于一向尿液的美国来说，ASML制造的2NMEUV光刻机在未来几年内将无法进入大陆市场，美国国产芯片与西方芯片的整体水平差距将进一步拉大，这将影响国内科技企业的市场竞争力。
在美国封锁华为芯片之初，该国不仅花费了巨额资金来制造它们"奇普大学"、"东部中央港"等半导体基础设施，出台大量优惠政策支持半导体相关企业发展。 在国家的号召下，大量企业争相进入半导体领域，从2024年初到2024年底的两年间，国内新增半导体企业超过10万家，引发了"中国芯"然而，在发展浪潮中，许多企业都有"补贴当场作弊"怀疑。
据相关数据显示，仅2024年，我国消失的半导体企业总数将达到惊人的109万家，其中大部分是刚刚成立的。 自"火灾"创作的速度，以"光"关闭的速度，很难不怀疑这些企业创建的真正目的，即通过严重影响"中国芯"开发开发骗取相关补贴，这些低能儿，真是挺可恶的！"中国芯"公司的崛起只能靠华为、中芯国际等公司的努力，希望他们能够成功突破核心技术，打破美西方的芯片神话！