近年来，随着全球芯片产业竞争的日趋激烈，制造工艺的升级和突破成为各国科技公司竞争的焦点。 在这一领域，美国以其雄厚的技术实力和市场影响力占据霸权地位。 与此同时，国内企业也迎来了巨大的挑战和压力，芯片制造工艺存在较大差距。
虽然中国拥有华为海思等众多优秀芯片设计公司和中芯国际等高水平芯片制造公司，但由于美国的技术封锁，国内企业无法获得EUV光刻机制造高端芯片，导致国产芯片相对滞后。 然而，今年8月，华为麒麟9000S芯片的成功量产，表明国内企业具备了制造7nm芯片的能力，从而缓解了美国芯片禁运带来的开发压力。
芯片性能的提升离不开制造工艺的升级。 芯片的空间是有限的，因此为了有效提高性能，需要不断优化工艺，在有限的晶体管密度下提高晶体管的密度。 也就是说，芯片制造工艺直接决定了芯片的性能。 例如，在相同尺寸的硅片上，3nm芯片的晶体管密度是7nm芯片的数百倍，因此性能远优于7nm芯片。
出人意料的是，ASML宣布明年将推出2NMEUV光刻机，产能为10台，其中6台已被英特尔预订。 这意味着英特尔有望在芯片制造上超越台积电和三星，实现美国高端芯片制造的国产化，降低被技术阻挡的风险。 但是，由于美国的限制，这些2NMEUV光刻机在未来几年内可能无法进入中国市场，这将进一步拉大国内芯片产业与美国的差距，影响国内科技公司的市场竞争力。
为了推动当地芯片制造业的发展，中国不仅在基础设施建设上投入巨资，还出台了一系列优惠政策，扶持半导体相关企业。 在第一家公司的号召下，一大批企业进入半导体领域，短短两年时间就成立了超过10万家新的半导体企业，掀起了一股发展浪潮"中国芯"的热潮。 但是，也存在许多业务"补贴当场作弊"问题，仅在 2023 年，就会有 1 个090,000家半导体公司消失，其中大部分是新成立的。 这些企业的虚假存在，严重影响了国家的进步"中国芯"战略目标。
面对国际竞争和技术封锁的双重压力，国内科技公司亟需在芯片制造工艺上取得突破。 虽然中国取得了一些进展，但与美国等西方国家相比，仍有较大差距。 为了推动芯片产业的发展，国家和企业需要加强研发投入，培养更多的专业人才，加快解决关键技术难题。 同时，也要加大政策扶持和资金扶持力度，为企业提供更好的创新环境，推动国内芯片产业快速崛起。 只有这样，才能实现自主可控的国产芯片制造，缩小与国际先进水平的差距，提升国内科技企业的市场竞争力。